EDA與制造相關文章 韩国半导体产品今年出口额预计低于1000亿美元 在价格上涨、人工智能领域需求增加、主要厂商新推出智能手机大量出货的推动下，全球半导体市场的状况近几个月在好转，韩国半导体产品的出口额在 11 月份也时隔 15 个月再次同比上涨。 發表于：2024/2/6 vivo与诺基亚签署5G专利交叉许可协议 2 月 5 日消息，今日，vivo 宣布与诺基亚达成全球专利交叉许可协议，该协议涵盖双方在 5G 和其他蜂窝通信技术方面的标准必要专利。 诺基亚在声明中指出，“该协议解决了双方在所有司法管辖区的所有待处理专利诉讼。根据双方商定的协议，协议条款仍将保密”。 發表于：2024/2/6 2nm半导体大战打响！三星2nm时间表公布 据媒体报道，三星计划明年在韩国开始2nm工艺的制造，并且在2047年之前，三星将在韩国投资500万亿韩元，建立一个巨型半导体工厂，将进行2nm制造。 据悉，2nm工艺被视为下一代半导体制程的关键性突破，它能够为芯片提供更高的性能和更低的功耗。 作为三星最大的竞争对手，台积电在去年研讨会上就披露了2nm芯片的早期细节，台积电的2nm芯片将采用N2平台，引入GAAFET纳米片晶体管架构和背部供电技术。 發表于：2024/2/5 3nm争夺战：传三星良率0% 台积电却已大赚211亿 据韩媒报道，三星 3nm 工艺存在重大问题，试产芯片均存在缺陷，良品率 0%。报道还指出，由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通过质量测试，导致后续 Galaxy Watch 7 的芯片组也无法量产。 当三星的 3nm 工艺还被困于良率难自解时，台积电的 3nm 工艺已经可以养家了。台积电方面表示，2023 年第四季度的营收得益于 3nm 工艺产量的持续强劲增长。 在 3nm 先进制程工艺上，三星暂时做不到遥遥领先。 發表于：2024/2/5 华为公开“半导体装置以及半导体装置的制作方法”专利 华为公开“半导体装置以及半导体装置的制作方法”专利 發表于：2024/2/5 苹果已完成70万公里自动驾驶汽车测试 苹果的神秘汽车项目已经悄悄进行了六年，外界对其进展几乎一无所知。不过，最近苹果向加州一家机构提交的记录揭示了自动驾驶项目的最新动态。 数据显示， 2023年，苹果在公共道路上的自动驾驶测试里程约72万公里，几乎较2022年增加了三倍，比2021年更是增加了30多倍。 發表于：2024/2/5 ASML：High-NA EUV光刻仍是未来最经济选择 ASML 首席财务官 Roger Dassen 近日接受了荷兰当地媒体 Bits&Chips 的采访。在采访中，Dassen 回应了分析机构 SemiAnalysis 的质疑，表示 High-NA（高数值孔径）EUV（极紫外光）光刻机仍是未来最经济的选择。 發表于：2024/2/4 1c纳米内存竞争：三星计划增加EUV使用，美光将引入钼、钌材料 根据韩媒 The Elec 的报道，DRAM 内存巨头三星和美光均将在下一个内存世代，也就是 1c nm 工艺引入更多新技术。 IT 之家注：1c nm 世代即第六个 10+ nm 世代，美光也称之为 1 γ nm 工艺。目前最先进的内存为 1b nm 世代，三星称其 1b nm 为 12nm 级工艺。 分析机构 TechInsights 高级副总裁 Choi Jeong-dong 在近日的一场研讨会上表示，美光将在 1c nm 节点率先引入钼（Mo，读音 m ù）和钌（Ru，读音 li ǎ o）。这两种金属将作为布线材料，被用于内存的字线和位线中。 钼和钌的电阻相较于现在应用的钨（W）更低，可进一步压缩 DRAM 线宽。不过钌也存在自身的问题：其在工艺中会反应生成有毒的四氧化钌（RuO4），为维护工作带来新的麻烦。Choi Jeong-dong 认为，三星和 SK 海力士将稍晚一至两个世代引入这两种金属。 發表于：2024/2/4 三星 3nm GAA 工艺试产失败 根据韩媒 DealSite+ 报道，三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题，尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。 發表于：2024/2/4 美加企业合作开发移动核电厂 2月1日消息，据媒体报道，美国西屋公司（Westinghouse）和加拿大Prodigy公司正在合作开发基于西屋5000千瓦热管微堆eVinci的移动核电厂。 据了解，两家公司自2019年以来一直在合作评估eVinci的部署模式。在2019—2020年一家跨国矿业公司资助的研究中，Prodigy评估是否能将eVinci部署到海岸设施中，用于为偏远的矿山供电。 Prodigy公司专注于将商用小型模块堆集成到海上电厂系统，用于沿海发电，与陆上相比，海上建造小型模块堆电站具有成本更低和工期更短的优势。 發表于：2024/2/1 OpenAI加速造芯：奥特曼赴韩与三星SK谈合作 OpenAI加速造芯：奥特曼赴韩与三星SK谈合作，此前已会见英特尔、台积电 發表于：2024/2/1 美国半导体大厂将10亿美元制造业务从中国撤出 据国外媒体报道称，美国知名半导体大厂泰瑞达去年从中国撤出了价值大约10亿美元的制造业务，而这对他们来说是一个艰难的决定。 苏州工厂是泰瑞达半导体测试设备的主要生产基地，在截至去年10月1日的三个月中，中国市场占泰瑞达营收的12%，低于上年同期的16%。 發表于：2024/1/31 蓝箭航天回应“爆炸传闻”：正常试验 仅3人擦伤 1 月 30 日消息，据国内媒体报道，昨日晚间，有网友称上海市松江区发生爆炸，是蓝箭航天试验所致。 1 月 30 日，蓝箭航天向媒体证实了这一说法，蓝箭航天表示，" 这是正常试验，并无网上流传爆炸的说法 "。 蓝箭航天介绍，1 月 29 日 19 点 30 分，800 所（上海航天精密机械研究所）在室外低温试验工位开展了商业航天贮箱低温静力爆破试验。 發表于：2024/1/31 使用SEMulator3D进行虚拟工艺故障排除和研究 在 3D NAND 存储器件的制造中，有一个关键工艺模块涉及在存储单元中形成金属栅极和字线。这个工艺首先需要在基板上沉积数百层二氧化硅和氮化硅交替堆叠层。其次，在堆叠层上以最小图形间隔来图形化和刻蚀存储孔阵列。此时，每层氮化硅（即将成为字线）的外表变得像一片瑞士奶酪。在这些工艺步骤中，很难实现侧壁剖面控制，因为刻蚀工艺中深宽比较高，且存储单元孔需要极大的深度。因此，刻蚀工艺中可能会出现弯折、扭曲等偏差。从堆叠层顶部到底部，存储单元孔直径和孔间隔可存在最高25%的偏差。 發表于：2024/1/30 我国首款嵌套式霍尔推力器成功点火运行 据中国航天科技集团六院上海空间推进研究所消息，近日，该所研制的 50 千瓦级双环嵌套式霍尔推力器成功实现点火和稳定运行，试验验证了推力器内、外环单环点火和双环同时点火能力。 据介绍，这是国内首款 50 千瓦级双环嵌套式霍尔推力器，其成功点火运行标志着我国成为世界上第三个实现嵌套式霍尔电推进技术突破的国家。 發表于：2024/1/30 <…229230231232233234235236237238…>
