企查查顯示，近日華為技術(shù)有限公司新增多條專(zhuān)利信息，其中一條名稱(chēng)為“一種半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制作方法”，公開(kāi)號(hào)為CN117501441A。

專(zhuān)利摘要顯示，本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制作方法。一種半導(dǎo)體裝置包括：硅通孔以及依次層疊的第一芯片，第二芯片和第五絕緣層。第一芯片包括具有第一開(kāi)口的第一絕緣層；第一開(kāi)口暴露出第一電連接層。硅通孔包括相連的第一段硅通孔和第二段硅通孔；第一段硅通孔位于第一開(kāi)口中，第一段硅通孔的底部為第一電連接層；第二段硅通孔貫穿第二芯片，第二段硅通孔的底部連接第一段硅通孔，頂部連接第三電連接層；第一金屬通孔的底部連接第二電連接層，頂部連接第三電連接層。第一電連接層和第二電連接層通過(guò)硅通孔、第一金屬通孔和第三電連接層形成電連接。實(shí)施本申請(qǐng)實(shí)施例，可以減小或避免因?yàn)殡姾啥逊e，造成的硅通孔刻蝕過(guò)程中硅橫向刻蝕。

據(jù)悉，截至2022年底，華為持有超過(guò)12萬(wàn)項(xiàng)有效授權(quán)專(zhuān)利，主要分布在中國(guó)、歐洲、美洲、亞太、中東和非洲。其中，華為在中國(guó)和歐洲各持有4萬(wàn)多項(xiàng)專(zhuān)利，在美國(guó)持有22,000多項(xiàng)專(zhuān)利。華為2023年前三季度研發(fā)費(fèi)用為1149.91億元，預(yù)計(jì)10年間累計(jì)研發(fā)費(fèi)用可突破萬(wàn)億元。根據(jù)歐盟2023年最新數(shù)據(jù)，華為研發(fā)費(fèi)用排名世界第五。