EDA與制造相關文章 台积电近四年累计获中美日超158.9亿元补贴 11月23日消息，据台媒报道，台积电积极扩大海外布局，今年前三季从美国、日本和中国大陆累计获得了160.43亿新台币的补贴。而2021年以来，累计获得超过714.66亿新台币（约合人民币158.9亿元）的政府补助。 台积电财报数据显示，台积电子公司TSMC Arizona、JASM及台积电南京等，因分别计划于亚利桑那州、熊本和南京当地设厂营运，取得美国、日本及中国大陆政府补助款，主要用于补贴不动产、厂房及设备购置成本，以及建造厂房与生产营运所产生的部分成本与费用。 台积电熊本一厂12月量产，亚利桑那州一厂明年初量产，中国大陆扩展28nm产能已经完成，台积电德国德累斯顿晶圆厂也已经开建。台积电日前与美国商务部签署正式协议，美国商务部将分阶段提供66亿美元补贴，推动台积电在亚利桑那州建设三座晶圆厂。 發表于：2024/11/25 英伟达加速认证三星HBM内存芯片 11月24日综合报道，英伟达CEO黄仁勋近日在接受媒体采访时透露，公司正在加速对三星电子的人工智能内存芯片——HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）进行认证。这一消息引发了业界广泛关注。 發表于：2024/11/25 HBM随着AI需求的飙升愈发成为首选内存 随着最先进的 AI 加速器、图形处理单元和高性能计算应用程序需要快速处理的数据量不断激增，高带宽内存 （HBM） 的销量正在飙升。 目前HBM库存已售罄，这是由于对开发和改进 ChatGPT 等大型语言模型的大量努力和投资。HBM 是存储创建这些模型所需的大量数据的首选内存，通过添加更多层来提高密度而进行的更改，以及 SRAM 缩放的限制，正在火上浇油。 Rambus 高级副总裁兼硅 IP 总经理 Neeraj Paliwal 表示：“随着大型语言模型 （LLM） 现在超过一万亿个参数并继续增长，克服内存带宽和容量方面的瓶颈对于满足 AI 训练和推理的实时性能要求至关重要。 發表于：2024/11/25 消息称美政府将减少对英特尔资金补贴 11 月 25 日消息，当地时间 24 日，《纽约时报》援引知情人士消息称，美国拜登政府计划减少英特尔公司初步获得的 85 亿美元《芯片和科学法案》拨款，将拨款金额从今年早些时候宣布的 85 亿美元降至 80 亿美元（IT之家备注：当前约 579.51 亿元人民币）以下，这一条件的变化考虑到了英特尔公司获得的一份价值 30 亿美元的合同，该合同将为美国军方生产芯片。 發表于：2024/11/25 台积电宣布2nm已准备就绪 11月25日消息，据报道，台积电在其欧洲开放创新平台（OIP）论坛上宣布，N2P IP已经准备就绪，所有客户都可以基于台积电的2nm节点设计2nm芯片。 据悉，台积电准备在2025年末开始大规模量产N2工艺，同时A16工艺计划在2026年末开始投产。 發表于：2024/11/25 台积电宣布A16工艺将于2026年量产 台积电近期在荷兰阿姆斯特丹举行的欧洲开放创新平台（OIP）生态系统论坛上宣布，该公司有望在2026年底量产其A16（1.6nm级）工艺技术的首批芯片。新的生产节点采用台积电的超级电源轨（SPR）背面供电网络（BSPDN），可实现增强的供电，将所有电源通过芯片背面传输，并提高晶体管密度。但是，虽然BSPDN解决了一些问题，但它也带来了其他挑战，因此需要额外的设计工作。 發表于：2024/11/25 传台积电放缓2026年CoWoS产能扩充 11月21日消息，据台媒报道，由于担忧特朗普重新执掌白宫后所带来的半导体政策的不确定性，因此近期业界传出消息称，晶圆代工龙头台积电已通知海内外半导体设备供应商，2026年设备需求及交机计划暂缓，再等候后续安排。 發表于：2024/11/22 Yole报告指出2029年每车半导体含量将增至1000美元 汽车半导体市场规模将增至970亿美元，电气化和ADAS推动增长。OEM进军半导体市场，中国厂商兴趣浓厚。800V架构流行，SiC器件适用。ADAS采用加速，SDV代表汽车设计范式转变。 發表于：2024/11/22 消息称三星电子将扩大苏州先进封装工厂产能 11 月 21 日消息，据 Business Korea 周二报道，行业消息称三星电子正在扩大国内外投资，以强化其先进半导体封装业务。封装技术决定了半导体芯片如何适配目标设备，而对于 HBM4 等下一代高带宽存储（HBM）产品，内部封装工艺的重要性正在上升。为此，三星正集中力量提升封装能力，以保持技术领先并缩小与 SK Hynix 的差距。 發表于：2024/11/22 福特汽车宣布将在欧洲裁员4000人 福特汽车宣布将在欧洲裁员4000人 發表于：2024/11/22 传NAND Flash大厂铠侠将于12月中旬上市 11月21日消息，据日经新闻、路透社等外媒报道，日本NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）预计将在今年12月中旬在日本IPO上市，市值预估为7,500亿日元，将远低于原先设定的1.5万亿日元目标。 發表于：2024/11/22 意法半导体宣布40nm MCU交由华虹代工 11月21日消息，欧洲芯片大厂意法半导体（STMicroelectronics）于当地时间周三在法国巴黎举办投资者日活动，宣布了将与中国第二大晶圆代工厂合作，在中国生产40nm节点的微控制器（MCU），以支持其中长期的营收目标的实现。 發表于：2024/11/21 TrendForce预计2025年DRAM价格将下跌 据TrendForce研报显示，第四季为DRAM产业议定合约价的关键时期，制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，目前价格已呈现跌势。 發表于：2024/11/21 SK海力士宣布量产全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存 11 月 21 日消息，SK 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1Tb（太比特，与 TB 太字节不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存。 据介绍，此 321 层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了 12% 和 13%，并且数据读取能效也提高 10% 以上。 發表于：2024/11/21 中国工业机器人密度已超越德国和日本 11 月 20 日消息，国际机器人联合会（IFR）周三发布的年度报告显示，中国在工业机器人使用方面已超越德国。 發表于：2024/11/21 <…163164165166167168169170171172…>
