EDA與制造相關文章 2025年全球CoWoS产能需求将增长113% 据研究机构DIGITIMES Research称，受云端AI加速器需求旺盛推动，2025年全球对CoWoS及类似封装产能的需求或将增长113%。 主要供应商台积电、日月光科技控股（包括矽品精密工业、SPIL）和安靠正在扩大产能。根据DIGITIMES Research关注全球CoWoS封装技术和产能的报告，到2025年第四季度末，台积电的月产能预计将增至6.5万片以上12英寸晶圆当量，而安靠和日月光合用产能将增至1.7万片晶圆。 發表于：2024/11/1 三星高管暗示其HBM芯片已获英伟达质量测试重大进展 三星电子高管在财报电话会上提到，公司在向英伟达供应人工智能（AI）内存芯片方面取得进展。 当地时间周四（10月31日），三星电子公布财报显示，公司芯片部门第三季度实现营业利润3.9万亿韩元，远低于上一季度的6.45万亿韩元，环比大降近40%。 作为全球最大的存储芯片巨头，三星错失了人工智能热潮这一良机，远落后于从中大赚特赚的竞争对手SK海力士。分析认为，三星高管这番话是为了安抚投资者。 發表于：2024/11/1 SK海力士将集成3D检测单元以提升12层HBM3E的良率和产量 10月31日消息，据BusinessKorea报道，继今年9月SK海力士宣布领先全球量产12层堆叠的HBM3E之后，随着AI 市场对于SK 海力士的 12 层 HBM3E 需求的大幅增长，促使SK海力士计划在HBM中集成 3D 检测单元，以提升产量和良率。 报道称，SK Hynix 已经收到了英伟达等 HBM 主要客户的请求，希望以更快的速度和更大的供应量提供HBM3E 12 层产品。但是，SK 海力士在从晶圆到HBM芯片的切割过程中遇到了障碍，因为该工艺在增加四层后容易造成不必要的损坏。对此，SK海力士计划通过整合 3D 检测单元，来大幅提高良率和生产能力。如果评估完成，Nextin 的设备很有可能被引入HBM3E 12 层量产线。 發表于：2024/11/1 三星半导体业务三季度获利环比大跌40% 三星半导体业务三季度获利环比大跌40%！ 發表于：2024/11/1 AI技术赋能EDA平台促IC设计“提质增效” 日前，西门子EDA年度技术峰会“Siemens EDA Forum 2024”在上海成功举办，西门子EDA Silicon Systems首席执行官 Mike Ellow亲临现场，发表了题为“激发想象力——综合系统设计的新时代”的主旨演讲，阐述了西门子EDA如何应用AI技术不断推动产品优化，让IC设计“提质增效”。 發表于：2024/10/31 三大内存原厂将于20层堆叠HBM5全面应用混合键合工艺 三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺 發表于：2024/10/31 消息称三星电子2025年初引进其首台ASML High NA EUV光刻机 10 月 30 日消息，韩媒 ETNews 当地时间昨日报道称，三星电子已决定 2025 年初引进其首台 ASML High NA EUV 光刻机，正式同英特尔、台积电展开下代光刻技术商业化研发竞争。 三星电子此前同比利时微电子研究中心 imec 合作，在后者与 ASML 联手建立的 High NA EUV 光刻实验室进行了对 High NA 光刻的初步探索；此次引入自有 High NA 机台将加速三星的研发进程。 發表于：2024/10/31 传OpenAI携手博通及台积电打造自研AI芯片 10月30日消息，据路透社独家引述未具名消息人士报导称，人工智能（AI）技术大厂OpenAI野心勃勃的晶圆代工厂建设计划已经暂时搁置，目前正与博通（Broadcom）和台积电合作打造自研AI芯片，以支持自研AI大模型。此外，OpenAI还在采购英伟达（NVIDIA ）、AMD芯片，以满足其高涨的基础设施建设需求。 發表于：2024/10/31 传台积电已取消对英特尔的6折优惠 10月30日消息，据路透社29日引述未具名消息人士报导称，原本在数年前台积电与英特尔之间的关系良好，当时英特尔将部分芯片交由台积电代工，台积电向英特尔提供了高达6折的折扣。但是，随着英特尔CEO帕特·基辛格上任后推出“IDM 2.0”战略，开始发展晶圆代工业务，这也使得台积电取消了对英特尔的折扣优惠。 报道称，基辛格近年来忙于恢复英特尔的制造能力，却疏于维护与台积电的关系。甚至是在2021年5月，基辛格还公开表示：“你不会想把所有鸡蛋全放在台湾晶圆厂这个篮子里”。同年12月，他在鼓吹政府投资美国芯片制造商时，还表示“台湾不是一个稳定之处”。 發表于：2024/10/31 世芯电子宣布成功流片2nm测试芯片 10月30日消息，近日，高性能 ASIC 设计服务厂商世芯电子（Alchip）发布新闻稿称，它已经成功流片了一款 2nm 测试芯片，预计明年第一季度将公布结果。目前，世芯正在与客户积极合作开发高性能 2nm ASIC。 發表于：2024/10/31 西门子接近达成收购工程软件制造商Altair 西门子接近达成收购工程软件制造商Altair 發表于：2024/10/31 三星前员工涉嫌向韩国泄露国产内存秘密被中国警方逮捕 据多家媒体报道，韩国驻华大使馆于10月28日表示，一名50岁韩国男子A某因涉嫌“向韩国泄露中国半导体信息”，被以“间谍罪”于去年12月被中国警方拘留。 这是自去年 7 月中国修订的《反间谍法》生效以来，第一起根据该法逮捕韩国人的案件。 报道称，A某现居安徽省合肥市，在当地一家半导体公司工作，与妻子和两个女儿一起生活。 A某曾就职于三星电子半导体部门担任离子注入技术员二十余年，2016年开始移居中国，加入了中国最大的DRAM内存芯片制造商CXMT，当时该公司首次招募了10 名韩国半导体专业人员。随后他在离开长鑫存储后，又相继在另外两家中国半导体公司任职。 發表于：2024/10/31 德州仪器扩大氮化镓（GaN）半导体自有制造规模，产能提升至原来的四倍 中国北京（2024 年 10 月 28 日）– 德州仪器 （TI）（纳斯达克股票代码：TXN）近日宣布，公司基于氮化镓 （GaN） 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产，加上德州仪器现有 GaN 制造产能，德州仪器的 GaN 功率半导体自有制造产能将提升至原来的四倍。 發表于：2024/10/31 英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆， 突破技术极限并提高能效 【2024年10月29日, 德国慕尼黑讯】继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。 發表于：2024/10/30 消息称三星下代400+层V-NAND 2026年推出 10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。 三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 纳米级）DRAM。 發表于：2024/10/30 <…168169170171172173174175176177…>
