EDA與制造相關文章 台积电首次公开2nm工艺的关键技术细节和性能指标 12月15日消息，IEDM 2024大会上，台积电首次披露了N2 2nm工艺的关键技术细节和性能指标：对比3nm，晶体管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％。 發表于：2024/12/16 Rapidus与Synopsys和Cadence签署2nm合作协议 12月12日消息，日本晶圆代工大厂Rapidus近日宣布，其已与EDA大厂Synopsys 和 Cadence Design Systems 签署了合作协议，后者将为其 2nm 代工业务提供EDA设计工具，并获取 AI 制造数据。Synopsys将有权访问Rapdius的人工智能工具制造数据，而Cadence将提供针对背面电源传输进行优化的内存和接口IP。 發表于：2024/12/13 台积电美国厂制造成本比中国台湾高出30% 12月13日消息，晶圆代工大厂台积电亚利桑那州晶圆厂一期工程即将于2025年初量产4nm，而根据麦格理银行的最新研究显示，台积电亚利桑那州的晶圆厂的制造成本可能将比中国台湾工厂高出30%。 發表于：2024/12/13 Rapidus宣布2025年4月启动2nm试产线 12 月 13 日消息，据《日本经济新闻》报道，日本先进半导体制造商 Rapidus 的会长东哲郎本月 11 日在 SEMICON Japan 展会开幕式上致辞时表示对该企业的 2nm 试产线充满信心。 發表于：2024/12/13 消息称Synopsys拟收购Ansys后剥离资产 消息称Synopsys拟收购Ansys后剥离资产，以期欧盟批准350亿美元交易 發表于：2024/12/13 英特尔仍未确认代工厂将是否完全独立 12 月 13 日消息，据彭博社报道，在当地时间周四举行的巴克莱第 22 届全球科技大会上，英特尔的联合首席执行官 Michelle Johnston Holthaus 和 David Zinsner 坦言，公司在产品改进和重建客户信任方面“还有很长的路要走”。 發表于：2024/12/13 三星电子HBM3E内存性能未满足英伟达要求 12 月 11 日消息，韩媒 hankooki 当地时间昨日表示，三星电子由于 8 层、12 层堆叠 HBM3E 内存样品性能未达英伟达要求，难以在今年内正式启动向这家大客户的供应，实际供货将落到 2025 年。 报道表示，三星电子早在 2023 年 10 月就开始向英伟达供应 HBM3E 内存的质量测试样品，但一年多的时间内三星 HBM3E 的认证流程并未取得明显进展。 發表于：2024/12/12 IBM与Rapidus展示多阈值电压GAA晶体管合作研发成果 12 月 12 日消息，据 IBM 官方当地时间 9 日博客，IBM 和日本先进芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 国际电子器件会议上展示了两方合作的多阈值电压 GAA 晶体管研发成果，这些技术突破有望用于 Rapidus 的 2nm 制程量产。 IBM 表示，先进制程升级至 2nm 后，晶体管的结构由使用多年的 FinFET（IT之家注：鳍式场效应晶体管）转为 GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管），这对制程迭代带来了新的挑战：如何实现多阈值电压（Multi Vt）从而让芯片以较低电压执行复杂计算。 發表于：2024/12/12 传美国将在圣诞节前推出对华AI芯片限制新规 12月11日消息，在本月初美国将140加中国半导体相关企业列入了实体清单，并升级对EDA、半导体设备、HBM限制之后，业内又传出消息称，美国商务部工业暨安全局（BIS）将会在今年圣诞节之前，发布新的人工智能（AI）管制规则，有可能将进一步限制AI芯片的对华出口。 消息称，美国BIS目前已将相关限制规则的内容提交给了相关机构审查，按照之前的经验，审查时间大约耗时一周，所以预计公布的时间可能将会在下周，也就是在圣诞节之前。该限制规则可能与此前台积电对中国大陆AI芯片企业暂停7nm及以下先进制程代工服务有关。 根据之前的爆料显示，中国厂商设计的芯片如果die size大于300mm²、晶体管数量大于300亿颗、使用先进封装和HBM，主要用于AI训练，台积电等有采用美国技术的海外晶圆代工厂都将禁止提供代工服务。 發表于：2024/12/12 英飞凌CEO：将在中国生产芯片 12月11日消息，据《日经亚洲》报道，德国芯片大厂英飞凌CEO Jochen Hanebeck近日在接受采访时透露，英飞凌正在将商品级产品的生产本地化，以寻求与中国买家保持密切联系。 發表于：2024/12/12 泛林介绍世界首款半导体制造设备维护专用协作机器人 12 月 11 日消息，Lam Research 泛林集团当地时间昨日对其打造的世界首款专为半导体制造设备维护打造的协作机器人（注：Collaborative Robot）Dextro 进行了介绍，并表示该型机器人已获全球多家先进晶圆厂应用。 發表于：2024/12/12 魏少军建议应大力发展不依赖先进工艺的芯片设计技术 12月11日消息，中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军今日表示，应大力发展不依赖先进工艺的芯片设计技术。 “伴随着外部先进加工资源对我国芯片设计企业关闭，中国芯片设计企业所能使用的制造技术不再像之前那样丰富，需要在技术创新上关注不依赖先进工艺的设计技术。” 發表于：2024/12/12 消息称三星电子启动下代1c nm DRAM内存量产设备订购 12 月 11 日消息，韩媒 ZDNet 当地时间 9 日援引行业报告表示，三星电子已于近日启动下代 1c nm 制程 DRAM 内存量产所需设备的采购，从 Lam Research 泛林集团等主要半导体设备制造商购买的设备将于明年 2 月左右引进至量产线。 三星电子目前尚未官宣 1c nm（注：第 6 代 10nm 级制程）DRAM。报道指出三星电子的 1c nm 目前处于试产状态，已得到首批 Good Die 良品晶粒，其首条 1c nm 量产线将设置于韩国京畿道平泽 P4 工厂。 發表于：2024/12/11 台积电创始人谈Intel失败原因 12月11日消息，随着CEO帕特·基辛格下课，Intel目前面临后继无人的状态。在真正寻找到能带领其重回巅峰的领导人之前，其未来前途可谓迷雾重重。 發表于：2024/12/11 美国商务部已向美光科技提供61亿美元资金 12 月 11 日消息，美国商务部周二表示，作为2022 年《芯片和科学法案》的一部分，美光科技已获得高达 61.65 亿美元（注：当前约 448.07 亿元人民币）的拨款，用于在美国制造半导体。 發表于：2024/12/11 <…157158159160161162163164165166…>
