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传三菱化学和JSW计划将氮化镓产能扩大50%
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英飞凌GaN侵权产品上海电子展被当场撤下
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英诺赛科再获德国法院不侵权判决
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英飞凌GaN产品遭禁售 英诺赛科获赔1000万元！
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无线芯片嵌入单晶金刚石后突破散热瓶颈
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全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片交付超五百万颗
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烟山科技全球首条8英寸MicroLED IDM产线投产
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X波段负载不敏感高效率非对称式放大器MMIC
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三安集成亮相EDICON 2026 新一代HP56加速高频通信应用落地
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马斯克为何选择英特尔合作Terafab？
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英特尔造出全球最薄GaN芯片
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氮化镓空穴中量子振荡首次被观测到
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三星电子加码氮化镓制造领域
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罗姆获台积电GaN氮化镓技术授权
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台积电将氮化镓技术授权给世界先进和GlobalFoundries
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台积电向转投资企业世界先进授权氮化镓制程技术
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西电团队攻克芯片散热世界难题
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恩智浦将关闭ECHO Fab晶圆厂 退出氮化镓5G PA芯片制造
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九峰山实验室最新成果一年可为超大型AI算力中心省3亿度电
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美国ITC公布英飞凌起诉英诺赛科“337调查”初步结果！
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第三代半导体突破供电瓶颈 有望在AI数据中心领域广泛应用
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格罗方德与台积电签属引进氮化镓生产技术授权协议
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2036年全球车用功率半导体市场将达420亿美元
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多通道大功率氮化镓T/R组件模块散热技术研究
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消息称台积电整合8英寸旧厂转向自研EUV薄膜
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X波段60 W高功率高效率功率放大器设计
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英诺赛科股价大涨背后的GaN专利大战
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英诺赛科成英伟达800V架构唯一中国供应商
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英飞凌四季度向客户提供首批12英寸氮化镓样品
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