10月22日，據(jù)IDTechEX最新發(fā)布的預測報告顯示，隨著電動汽車市占率持續(xù)擴大，產(chǎn)品競爭日益激烈，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為代表的更高性能的功率半導體也被越來越多的車型采用。預計到2036年前，車用功率半導體市場規(guī)模將成長三倍之多，達到420億美元。

報告稱，三年前，電動車采用SiC MOSFET（場效晶體管）還可以當做一個賣點來宣傳，但現(xiàn)在使用碳化硅的純電車比比皆是，甚至連插電混動車（PHEV）都開始使用，包含Toyota 與Schaeffler 都宣布推出面向PHEV車型的SiC MOSFET。這代表碳化硅已經(jīng)進入成熟階段。

由于碳化硅晶圓供應競爭激烈，許多公司已經(jīng)擴大量產(chǎn)200毫米的碳化硅晶圓，Wolfspeed 和英飛凌（Infineon）都開始量產(chǎn)推出，并成為小米、理想等中國車廠的供應商，帶動碳化硅成為市場主流選項，即使是純電里程不高的PHEV車型，也都開始選用SiC，可見其成熟度。

緊跟在碳化硅之后，就是消費者已經(jīng)耳熟能詳?shù)牡墸F(xiàn)在基于氮化鎵的快充充電頭也已經(jīng)是隨處可見，它的高功率、高電壓特性也準備在電動車市場上發(fā)揮所長。

中國長安汽車預計在2027年，推出搭載氮化鎵車載充電器的新車，由Navitas 供應元件，功率密度達到每公升6kW，遠遠高于目前主流車載充電器每公升2kW 的水準。換句話說，在體積相同的情況下，充電功率有可能翻倍提升。

IDTechEX 分析師認為，氮化鎵在初期主要會用于車載充電，以及直流變壓器上，之后則有包括恩智浦（NXP）、VisIC 等廠商，正在開發(fā)氮化鎵驅(qū)動逆變器，有望取代一部分硅基逆變器和SiC 逆變器。

考慮到成本、開發(fā)時程和量產(chǎn)規(guī)模等因素，在未來幾年，預估會看到更多混合配置的功率半導體組合，運用Si IGBT、SiC MOSFET 和GaN HEMT 并聯(lián)，可以在兼顧成本的情況下，對應不同負載需求的產(chǎn)品。

當然，在成本考察不那么敏感的產(chǎn)品上，全面采用碳化硅逆變器，是最合理高效的選項，在GaN 獲得更具體的商業(yè)應用前，SiC 的大量成長，似乎是可以預期的趨勢。