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台积电计划两年后停止氮化镓晶圆生产
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瑞萨电子悄然放缓未来十年增长预期
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60余家头部厂商助力新能源/AI服务器电源一站选型
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MIT新3D半导体工艺探索突破摩尔定律新路径
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英飞凌推出用于高压应用的EasyPACK™ CoolGaN™ 功率模块
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电子科技大学发布全球首个氮化镓量子光源芯片
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马自达与罗姆启动车用氮化镓功率器件联合开发
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意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议
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英诺赛科AI及数据中心芯片交付量同比暴涨669.8%
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九峰山实验室氮化镓材料制备领域新突破
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GaN功率器件怎样最大提升LiDAR传感器性能
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CGD 官宣突破100KW以上技术
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2030年全球化合物半导体市场将达250亿美元
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CGD 获得3,200万美元融资，以推动在全球功率半导体领域的增长
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英诺赛科起诉英飞凌专利侵权
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英诺赛科今日上市：氮化镓龙头成长动力充足
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英诺赛科今日在港招股 氮化镓功率半导体新星升起
發表于：2024/12/30 下午1:06:25
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英诺赛科宣布氮化镓分立器件累计出货8.5亿颗
發表于：2024/12/23 上午10:39:51
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半导体封测大厂矽力2000万美元入股英诺赛科
發表于：2024/12/20 上午11:19:17
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罗姆与台积电就车载GaN功率器件达成战略合作伙伴关系
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英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件
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ITC终裁确认英诺赛科客户不受英诺赛科与EPC专利纠纷影响
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美国国际贸易委员会终裁确认英诺赛科侵权
發表于：2024/11/11 上午11:00:22
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一文解开远山氮化镓功率器件实现耐高压的秘密
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英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率
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氮化镓正在成为AI绕不过的关键
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英飞凌发布新一代氮化镓产品矩阵
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安森美旗下氮化镓芯片代工厂BelGaN申请破产
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西电攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
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美国ITC判定英诺赛科专利侵权
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