9 月 11 日消息，行業媒體 Digitimes 昨日（9 月 10 日）發布博文，報道稱臺積電確認將在兩年內退出氮化鎵（GaN）代工業務，關閉新竹科學園區的 6 英寸二廠，并整合 8 英寸三廠（Fab 3、Fab 5、Fab 8）。

報道稱臺積電為緩解用工緊缺、降低運營成本并優化產能利用率，抽調約 30% 的員工將調往南部科學園區及高雄廠區，這也是臺積電自 2025 年初啟動舊廠精簡計劃以來的重要一步。

援引博文介紹，6 英寸工廠將轉型為 CoPoS 面板級封裝生產基地，而 8 英寸廠則將承擔一項出人意料的新任務 —— 量產自研 EUV 光罩薄膜（Pellicle）。

臺積電此舉意在擺脫對 ASML 及其供應鏈的依賴，同時利用自身研發與制造能力，一方面提升先進制程的 EUV 光刻良率，另一方面也可以更好地控制成本。

臺積電在過去 10 年里先進制程投入創紀錄的資本支出，但隨著摩爾定律逼近物理極限，單純依賴資本投入的收益在減弱。EUV 光刻雖帶來了更小的制程節點，卻需昂貴設備支持 —— 單臺掃描機約 1.5 億美元，High-NA 版本更超過 3.5 億美元且由 ASML 壟斷。因此，臺積電放緩了 High-NA 設備采購，轉而加快薄膜技術布局。

EUV 薄膜是覆蓋在光罩上的保護膜，用于防止顆粒污染。然而傳統有機材料透光性與穩定性不足，多數晶圓廠只能無薄膜生產，需頻繁檢測并更換光罩，增加成本與停機時間。臺積電認為薄膜對 7nm 以下制程至關重要，自研方案有望優化生產流程、擴大產能并提升盈利能力。