4月9日消息，Intel代工宣布了一項半導體領域的重大突破，成功制造出全球最薄的氮化鎵（GaN）芯片，其基底硅片厚度僅為19μm，約為人類頭發絲直徑的五分之一。

該成果已在2025年IEEE國際電子器件大會（IEDM）上正式展示。

該GaN芯片基于300mm硅晶圓制造，是Intel首次在標準硅基制造產線上實現GaN芯片的量產級工藝。

更重要的是，研究團隊成功將GaN晶體管與傳統硅基數字電路集成在同一芯片上，實現了業界首個完全單片集成的片上數字控制電路。

這意味著電源芯片無需再搭配獨立的控制芯片，大幅減少了組件間信號傳輸的能量損耗。

在性能方面，GaN材料相比傳統硅基CMOS芯片具有明顯優勢，擁有更高的功率密度，能夠在更小的空間內實現更強的性能輸出。

其更寬的帶隙使其在高溫環境下更加穩定，硅基芯片在結溫超過約150°C時可靠性會急劇下降，而GaN能夠承受更高的工作溫度，從而減少散熱系統的體積和成本。

此外，GaN晶體管的高頻性能使其能夠穩定工作在200GHz以上頻率，天然適配5G和6G通信系統的射頻前端需求。

Intel表示，該技術已在嚴格的可靠性測試中通過了實際部署所需的標準驗證。

在數據中心場景中，GaN芯片可實現更快的開關速度和更低的能量損耗，使電壓調節器變得更小、更高效，并能更靠近處理器部署，減少長距離供電路徑上的電阻損耗。

在無線基礎設施領域，GaN的高頻特性使其成為下一代基站射頻前端技術的理想選擇。

此外，該技術同樣適用于雷達系統、衛星通信和光子應用等需要高速電信號切換的場景。

而且Intel采用標準300mm硅晶圓進行GaN生產，與現有硅基制造基礎設施完全兼容，這意味著無需大規模新建產線即可實現量產過渡。