當地時間11月10日消息，晶圓代工大廠格羅方德（GlobalFoundries）今宣布，它已與臺積電就650V和80V氮化鎵（GaN）技術簽訂了技術許可協議。這一戰略舉措將加速格芯在數據中心、工業和汽車電源應用中的下一代氮化鎵產品，并為全球客戶群提供美國的氮化鎵產能。
格羅方德表示，隨著傳統硅CMOS技術達到其性能極限，GaN正在成為下一代解決方案，以滿足電力系統對更高效率、功率密度和緊湊性日益增長的需求。格羅方德正在開發全面的氮化鎵產品組合，包括高性能的650V和80V技術，旨在支持電動汽車、數據中心、可再生能源系統和快速充電電子產品。格羅方德的GaN解決方案專為惡劣環境而設計，采用涵蓋工藝開發、器件性能和應用集成的GaN可靠性整體方法。
格羅方德將在其位于佛蒙特州伯靈頓的制造工廠對獲得許可的氮化鎵技術進行認證，利用該工廠在高壓硅基氮化鎵技術方面的專業知識，為尋求下一代功率器件的客戶加速批量生產。開發計劃于 2026 年初進行，生產將于今年晚些時候開始。
格羅方德電源業務高級副總裁Téa Williams表示：“該協議加強了格羅方德對創新的承諾及其對差異化技術的戰略重點，這些技術解決了我們用于生活、工作和連接的基本功率設備。通過加入這種經過驗證的 GaN 技術，我們將加速下一代 GaN 芯片的開發，并提供差異化的解決方案，以解決從數據中心到汽車和工廠車間的關鍵任務應用的關鍵功率差距。”
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