為支持高功耗高性能AI計(jì)算日益增長(zhǎng)的需求，碳化硅襯底逐漸被用于AI數(shù)據(jù)中心電源供應(yīng)單元的交直流轉(zhuǎn)換階段。

降低能耗、改進(jìn)散熱解決方案并提升服務(wù)器的功率密度，打開(kāi)了碳化硅產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域和天花板。

AI服務(wù)器功耗高，數(shù)據(jù)中心需要使用更高功率的供電架構(gòu)。

為了應(yīng)對(duì)更高端的AI運(yùn)算，服務(wù)器供電系統(tǒng)各環(huán)節(jié)的效能、功率密度需要進(jìn)一步提高。

SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高遷移率等特點(diǎn)，允許材料在更高的溫度和電壓下運(yùn)行，降低能耗和成本。

目前頭部廠商正在持續(xù)推動(dòng)SiC/GaN在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域應(yīng)用。

東方證券指出，展望未來(lái)，在AI服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心的大功率供電需求不斷提升的趨勢(shì)下，SiC/GaN有望得到更廣泛的應(yīng)用。

相關(guān)上市公司中：

天岳先進(jìn)表示，公司的客戶英飛凌、安森美已成功進(jìn)入英偉達(dá)等行業(yè)巨頭的供應(yīng)鏈，成為AI算力基礎(chǔ)設(shè)施的重要組成部分。

三安光電的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包括晶體生長(zhǎng)—襯底制備—外延生長(zhǎng)—芯片制程—封裝測(cè)試，產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、充電樁、AI及數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等領(lǐng)域。