EDA與制造相關文章 NAND价格今年已暴涨246% 明年会更贵 12月17日消息，近日存储模组大厂金士顿（Kingston）数据中心 SSD 业务经理 Cameron Crandall 参与 PCWorld 的 Podcast 节目《The Full Nerd》时透露，自2025年第一季以来，NAND Flash的价格累计已上涨已高达246%，其中约70%的价格升幅是发生在过去短短60天之内。 發表于：2025/12/18 三星发布10nm以下的DRAM技术 12月16日，三星电子在旧金山举行的第70届国际电子器件会议上宣布，其旗下三星先进技术研究所（SAIT）成功开发出一种新型晶体管，能够在10nm以下的制程节点上生产DRAM，这个突破将解决移动DRAM发展中的关键挑战。这项技术的重点在于实现小于10nm的DRAM 制程，这对于移动DRAM 来说是一个重要的障碍，因为传统的演进方法已经达到物理极限。 發表于：2025/12/17 SEMI预测今年全球半导体设备市场1330亿美元 12 月 17 日消息，SEMI 当地时间昨日在 SEMICON Japan 2025 上表示，预计今年全球半导体制造设备市场的规模将达到 1330 亿美元，在 2024 年已创历史纪录的水平上进一步提升 13.7%。而 2026、2027 两年则分别可达 1450 亿美元和 1560 亿美元。 發表于：2025/12/17 国产EDA大并购 华大九天入股思尔芯 近日，大湾区基金联合北京华大九天科技股份有限公司（以下简称“华大九天”，SZ301269，中国电子信息产业集团旗下EDA上市公司），战略并购国内数字EDA领域头部企业思尔芯公司。此次并购投资，由华大九天与大湾区基金联手完成，标志着产业龙头与战略基金合力加强国产EDA产业链整合，共同破解关键科创领域“卡脖子”环节，共筑国产芯片验证完整产业生态。 發表于：2025/12/17 台积电将提升CoWoS先进封装CoW阶段委外规模 12 月 16 日消息，作为目前最为成熟、产能最充足的 2.5D 先进封装集成技术，台积电的 CoWoS 一直是各大 AI 芯片企业争夺的焦点，台积电也正不断对此扩产。 發表于：2025/12/17 DRAM价格飙升 推动低端手机成本上涨25% 12月16日消息，据市场研究机构Counterpoint research最新发布的研究报告显示，由于DRAM芯片等零部件成本飙升，可能将影响智能手机市场需求，预计2026年全球智能手机出货量将同比下降2.1%，这与之前的预测相比下调了2.6个百分点。 發表于：2025/12/17 机械硬盘合约价单季上涨4% 12月16日消息，据Digitimes Asia引述日经新闻的一份报告称，2025年第四季度机械硬盘（HDD）合约价格环比跳升约4%。这是HDD近八个季度以来最剧烈的涨幅，供应商预计这种上涨压力将持续。除了价格上涨之外，有消息称，HDD的交期也延长到了2年。 發表于：2025/12/17 国产GPU第一易主 沐曦股份市值超摩尔线程 12月17日，国产GPU厂商沐曦股份正式登陆科创板，上市首日高开568.83%，股价报700元/股。截止上午10:25分，盘中股价最高触及895元/股，涨幅超755%，市值突破3500亿元，超越当前的摩尔线程。 發表于：2025/12/17 阿斯麦对华出口光刻机比最新落后八代 技术差距超10年 12月15日消息，阿斯麦对中国出口的光刻机到底有多落后，按照其CEO的说法，比最新的高数值孔径光刻技术整整落后了八代。 發表于：2025/12/16 三星紧急辟谣 否认停产SATA固态硬盘 12月16日消息，近期存储市场供应持续紧张，人工智能等领域的爆发性需求是主要推手。此前曾有传言称，三星电子将放弃消费级SATA固态硬盘产品线。对此，三星官方已在多个渠道予以澄清，表示消息不实。 發表于：2025/12/16 英特尔携手ASML完成首台二代High NA EUV光刻机验收测试 12 月 16 日消息，英特尔代工官方当地时间昨日宣布，其已同 ASML 实现了首台“二代”High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5200B 的“验收测试”。 發表于：2025/12/16 国内首个百吨级火箭捕获臂全尺寸原型机完成地面考核试验 12 月 15 日消息，国内唯一采用“不锈钢火箭 + 捕获臂回收”方案的团队宇石空间今日宣布，其近日完成了国内首个百吨级全尺寸“筷子”捕获臂地面验证试验，标志着我国首个对标 SpaceX 星舰回收模式的捕获臂全尺寸原型机正式交付，进入地面联合试验阶段。 發表于：2025/12/16 三星HBM3E产品有望成博通首选供应商 12 月 15 日消息，据韩国 Chosunbiz 今日报道，三星电子在高带宽存储器 HBM 领域迎来关键进展。此前近 2 年在性能和良率方面始终难以稳定的 HBM3E 12 层堆叠产品，现已经实现量产级别的稳定表现，并有望显著扩大供货规模。 發表于：2025/12/16 龙芯中科首款GPU芯片9A1000已交付流片 12 月 15 日消息，龙芯中科今日发布投资者关系活动记录表，介绍了公司 GPGPU 的研发规划及进展。龙芯中科透露，其 GPGPU 的技术路线是图形和 AI 做成一个核，包含图形和科学计算的功能，总体上考虑是从端侧做起，面向推理的应用为主，然后再增加更高性能的 AI 算力。公司的首款产品 9A1000 显示功能大致相当于 AMD 的 RX550，还有几十 T 的算力，和龙芯 CPU 形成自我配套，达到系统性价比最高，产品定位是入门级独显。 發表于：2025/12/16 1.4nm制程 纳米压印技术突破 近日，日本印刷株式会社（DNP）宣布，成功开发出电路线宽仅为10nm的纳米压印（NIL）光刻模板，可用于相当于1.4纳米等级的逻辑半导体电路图形化，可以满足智能手机、数据中心以及NAND闪存等设备中使用的尖端逻辑半导体的微型化需求。 發表于：2025/12/16 <…60616263646566676869…>
