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三星HBM3E产品有望成博通首选供应商

2025-12-16
來源:IT之家
關鍵詞: 三星 HBM 博通

12 月 15 日消息,據韓國 Chosunbiz 今日報道,三星電子在高帶寬存儲器 HBM 領域迎來關鍵進展。此前近 2 年在性能和良率方面始終難以穩定的 HBM3E 12 層堆疊產品,現已經實現量產級別的穩定表現,并有望顯著擴大供貨規模。

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▲ 圖源三星

產業消息稱,負責谷歌 TPU 芯片設計的博通,正在討論提高三星電子 HBM3E 12 層產品的供應比重。谷歌已在第 7 代 TPU 中同時采用三星電子與 SK 海力士的 HBM3E 8 層產品,而在性能進一步強化的改良版 TPU 7E 中,計劃直接搭載 HBM3E 12 層。目前相關產品正處于量產測試階段,業內普遍認為兩家廠商在性能指標上已接近同一水平。

從報道中獲悉,因此,三星電子也有望成為博通的首選供應商。

過去一年,三星電子的 HBM3E 12 層產品始終未能通過“最大買家”英偉達極為嚴格的質量測試,這也是三星電子在全球 HBM 市場長期落后于 SK 海力士的重要原因之一。

為扭轉局面,三星在負責 DRAM 開發的黃尚俊(音譯)主導下,對 HBM 所使用的 DRAM(D1a)進行了重新設計,并在今年通過與博通的深度合作,逐步實現性能與良率的穩定。

HBM3E 12 層與 8 層產品在盈利能力和應用價值上差距明顯。三星電子一位高層人士透露,在過去爭取英偉達 HBM 主力供應商資格時,三星電子管理層曾親自拜訪英偉達 CEO 黃仁勛。黃仁勛當時明確表示,如果希望成為優先供應商,最新 HBM 產品必須采用 12 層堆疊結構。該人士指出,HBM3E 12 層對于提升 GPU 性能以及支撐大語言模型運行具有決定性意義。

業內分析認為,三星能夠在 HBM3E 12 層上取得突破,與博通的合作發揮了重要作用。與英偉達持續要求存儲廠商反復重構設計、將性能推向極限不同,博通更強調滿足客戶規格需求,自行完成 SoC 設計,因此對 HBM 供應商的測試壓力相對較小。

一位博通工程師表示,業界將博通視為英偉達對手的看法并不完全準確,“對了一半”。該工程師指出,博通更接近一家以設計效率和成本控制為核心的設計公司,通過為谷歌等客戶以合理成本定制芯片,實現穩定利潤。這種模式也使博通更青睞報價更具彈性、供貨規模更靈活的三星電子,同時增強對 SK 海力士的價格談判能力。

為縮小在 HBM3E 市場的差距,三星電子在性能提升與價格策略上明顯更加靈活。業內消息稱,三星 HBM3E 的供貨單價較 SK 海力士同類產品低約 20%,這一因素正在重塑 HBM 供應格局。


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