12 月 16 日消息，英特爾代工官方當地時間昨日宣布，其已同 ASML 實現了首臺“二代”High NA EUV 光刻機 TWINSCAN EXE:5200B 的“驗收測試”。
相較主要用于工藝前期研發的“一代”機型 EXE:5000，EXE:5200B 身上的“量產用設備”味道更濃：其配備了更高功率 / 劑量的 EUV 光源，晶圓吞吐量提升到每小時 175 塊；套刻精度提升至 0.7nm；此外通過新的晶圓存儲結構提升了整體效果的穩定性。
英特爾代工還在同一篇博客中提到，在 2025 IEEE IEDM 上，其與 imec 合作展示了對 2DFET 材料氧化物帽層的選擇性凹陷刻蝕以及在 12 英寸試生產線中制造的具有大馬士革型頂接觸的晶體管。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。