EDA與制造相關文章 传英伟达拿下台积电明年过半CoWoS产能 12月10日消息，先进封装正成为人工智能（AI）芯片行业最大的产能限制因素之一。根据台媒DigiTimes的一份报告显示，英伟达为保障AI芯片的产能，已经获拿到了2026年台积电CoWoS先进封装超过一半的产能。 發表于：2025/12/11 全球首创空中蜂群母舰 我国“九天”无人机首飞成功 12月11日消息，据中国航空工业集团有限公司介绍，“九天”无人机已在陕西蒲城圆满完成首飞任务。作为我国自主创新的大型通用无人机平台，该机型采用“通用平台+模块化任务载荷”设计理念，依托自主集成技术创新。 發表于：2025/12/11 丰田将在BEV车载充电系统导入Wolfspeed碳化硅MOSFET器件 12 月 11 日消息，今年早些时候成功完成破产重组的美国碳化硅 (SiC) 半导体企业 Wolfspeed 当地时间本月 9 日宣布，其车规级 SiC MOSFET 获得丰田汽车采用。 發表于：2025/12/11 国际半导体巨头投资EDA，意欲何为？本土企业如何突围？ 在今年 ICCAD 高峰论坛上，硅芯科技创始人赵毅博士系统性提出“2.5D/3D EDA⁺ 新设计范式，重构先进封装全流程设计、仿真与验证的协同创新”（以下简称 “EDA⁺”）。这不是对传统 EDA 工具列表的简单加减，而是围绕先进封装场景，对设计方法、数据底座与协同模式的一次整体重构。 發表于：2025/12/10 Intel公布三大全新晶体管材料 Intel在2025年IEEE国际电子器件会议上展示了三种可用于MIM堆叠的新材料——铁电铪锆氧化物、氧化钛和钛酸锶，其中后两者为超高K材料，在深槽电容结构中可把平面电容值提升至60–98 fF/μm²，漏电降至业界目标的1/1000，且兼容标准后端工艺，可在不牺牲电容漂移与击穿电压指标的前提下解决先进制程供电稳定性难题。 發表于：2025/12/10 长江存储对美国国防部和商务部提起诉讼 当地时间12月8日，路透社报道称，中国NAND闪存制造商长江存储（YMTC）已向华盛顿特区联邦法院对美国国防部提起诉讼。该诉讼要求法院暂停并撤销将长江存储列入“与中国军方有关联的实体”名单的认定。美国国防部于2024年1月将长江存储纳入该名单，今年早些时候重申了这一认定，长江存储因此被禁止进口含有美国技术的先进半导体设备。 發表于：2025/12/10 闻泰科技邀请荷兰安世股权托管人会谈 据21世纪经济报道，闻泰科技12月9日已正式向荷兰方面指定的安世半导体（Nexperia）股权托管人迪里克（Guido Dirick）等人发出函件，提议就安世半导体相关争议开展建设性会谈，以期通过对话弥合分歧、寻求符合各方利益的长期解决方案。 發表于：2025/12/10 国创基础资源库成为2025年零部件3D模型首选平台 在众多的选择中,由广州泊沧数据技术有限公司运营的国创基础资源库凭借其“国家队”背景、海量数据储备及智能化服务体验,成为了2025年值得重点推荐的零部件3D模型平台。 發表于：2025/12/10 SK海力士加速推进超300层V10 NAND闪存 12月9日消息，据Trendforce报道，SK海力士确认将于2027年初量产第十代V10 NAND闪存，核心突破在于首次采用300+层堆叠架构并集成混合键合技术（Hybrid Bonding）。 發表于：2025/12/10 闻泰科技重大资产出售接近完成 12月9日傍晚，闻泰科技发布了《关于重大资产出售的进展公告》，宣布印度闻泰相关业务资产包已完成了向收购方立讯的转移，目前仅印度土地尚需交易对方配合进行资产权属变更手续，除此之外，本次交易的其余标的资产均已完成所涉权属变更登记手续。 發表于：2025/12/10 EDA领域的“替代”路径为何不香了 在ICCAD2025会议期间，国内几位EDA企业负责人的观点揭示了一个令人深思的转变：在被誉为“芯片产业皇冠”的EDA（电子设计自动化）领域，“国*替代”的光环正在褪色。 發表于：2025/12/10 英特尔代工研究解决为不断缩小的晶体管供电的关键技术难题 12月9日消息，在近日举行的2025 年IEEE 国际电子会议（IEDM）上，英特尔及英特尔代工部门的研究人员介绍了他们在用于片上去耦电容的金属-绝缘体-金属（MIM）材料方面取得了突破性进展。该进展有望解决先进半导体制造中的一个关键挑战，即在晶体管不断缩小的同时，保持稳定的供电。 發表于：2025/12/10 联电获imec 300mm硅光子学平台授权 12 月 9 日消息，联华电子（UMC、联电）昨日宣布其获得了 imec 的 300mm（12 英寸）硅光子学平台 ISiPP300 的技术授权。这一工艺支持 CPO（共封装光学）应用，将加速联电硅光子技术的发展。 發表于：2025/12/9 日本DNP开发出1.4nm级NIL纳米压印图案化模板 12 月 9 日消息，日本 DNP（大日本印刷）当地时间今日宣布成功开发出线宽仅 10nm 的 NIL 纳米压印图案化模板，支持 1.4nm 级逻辑半导体以及 NAND 闪存的制造。 發表于：2025/12/9 荷兰经济大臣就安世半导体接受质询承认明抢 据新华社此前报道，11月19日，荷兰经济大臣卡雷曼斯发表声明，宣布暂停针对安世半导体的行政令。而这一暂停举措并未平息外界对其前期处置行为的争议，时隔半月，卡雷曼斯便因该事件在议会接受质询。 發表于：2025/12/9 <…62636465666768697071…>
