EDA與制造相關文章 英特尔与美国国防部深化合作采用18A工艺生产芯片 4 月 23 日消息，美国芯片制造商英特尔与美国国防部进一步加深合作，共同研发全球最先进的芯片制造工艺，这项合作是双方在两年半前签署的“快速可靠微电子原型”（RAMP-C）项目的第一阶段基础上拓展而来的。 發表于：2024/4/23 中国半导体产量创历史新高 成熟制程芯片占主导 4月22日消息，中国第一季度半导体产量激增40%，标志着成熟制程芯片在中国市场的主导地位日益巩固。 根据中国国家统计局公布的最新数据，仅三月份全国集成电路产量就高达362亿片，同比增长28.4%，创下历史新高。 这一惊人增长的背后，新能源汽车等下游行业的强劲需求功不可没。 發表于：2024/4/22 消息称三星电子NAND产量大增 开工率重回90%高位 消息称三星电子NAND产量大增 开工率重回90%高位 發表于：2024/4/22 安卓进入3nm时代！高通骁龙8 Gen4首次采用3nm工艺 4月20日消息，数码闲聊站透露，高通骁龙8 Gen4将首次采用台积电3nm工艺，这意味着安卓阵营正式迈入3nm时代。 早在去年，苹果率先切入3nm工艺，首颗3nm芯片是A17 Pro，由iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max首发搭载。 据悉，台积电规划了多达五种3nm工艺，分别是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X，其中N3B是其首个3nm节点，A17 Pro使用的便是N3B。 今年10月份登场的骁龙8 Gen4将会采用台积电第二代3nm工艺N3E，N3E是N3B的增强版，其功耗表现优于N3B工艺，并且良率更高、成本也相对较低。 另外，高通骁龙8 Gen4将会启用自研的Nuvia架构，不再使用Arm公版架构方案，这将是高通骁龙5G SoC史上的一次重大变化。 数码闲聊站透露，目前高通骁龙8 Gen4性能极强，但是因为频率设定过高，功耗表现一般，预计量产时频率会降低。 發表于：2024/4/22 英特尔率先完成组装ASML新一代光刻机 2nm以下芯片必备！英特尔率先完成组装ASML新一代光刻机 發表于：2024/4/19 台积电CEO下调2024全球代工厂预估产值增幅至10% 4 月 19 日消息，台积电昨日宣布截至 2024 年 3 月 31 日的第一季度合并收入为 5926.4 亿新台币，同比增长 16.5%，环比下降 5.3%；净利润为 2254.9 亿新台币，同比增长 8.9%，环比下降 5.5%。 台积电在财报电话会议上强调了两项重大修正：下调了全球晶圆代工行业的年度增长预期、汽车行业的增长前景从积极转为消极。 台积电首席执行官魏哲家在财报电话会议中表示终端应用的前景和 3 月前预期基本相同，不过此前预测全年汽车行业会增长，但现在预测会下降。 發表于：2024/4/19 美光下周有望获批超60亿美元芯片法案拨款 美国最大存储芯片制造商美光科技（Micron Technology Inc.）有望从商务部获得60亿美元的补贴，用于支付本土建厂项目费用，这是美国将半导体生产迁回本土努力的一部分。 据知情人士透露，此事尚未最终敲定，最早可能在下周宣布。目前尚不清楚除了直接补贴外，美光科技是否会像英特尔和台积电一样、还计划接受按照2022年通过的《芯片与科学法案》（Chips and Science Act，以下简称“芯片法案”）可以提供的贷款。 發表于：2024/4/19 SK海力士与台积电签署谅解备忘录 韩国SK海力士4月18日宣布，近期台积电签署了一份谅解备忘录，双方将合作生产下一代HBM，并通过先进的封装技术提高逻辑和HBM的集成度。该公司计划通过这一举措着手开发HBM4，即HBM系列的第六代产品，预计将于2026年开始量产。两家公司将首先致力于提高安装在HBM封装最底部的基础芯片的性能，并同意合作优化SK海力士的HBM和台积电的CoWoS技术的整合，合作应对客户对HBM的共同要求。 發表于：2024/4/19 三星计划将TC-NCF用于16层HBM4内存生产 三星计划将TC-NCF用于16层HBM4内存生产，将推整体 HBM 定制服务 發表于：2024/4/19 消息称台积电2024下半年量产锐龙PRO8040/80系列AI处理器 消息称台积电2024下半年量产锐龙PRO8040/80系列AI处理器 發表于：2024/4/19 台积电：CoWoS需求持续火爆，端侧 AI 将拉低智能手机和 PC 换机周期 台积电：CoWoS 需求持续火爆，端侧 AI 将拉低智能手机和 PC 换机周期 發表于：2024/4/19 美光宣布量产232层QLC NAND闪存 4月17日消息，美光公司近日宣布，已成功实现232层QLC NAND闪存的量产，并已向特定关键SSD客户发货。这款革命性的闪存产品不仅面向消费级客户端，同时还将为企业级存储客户和OEM厂商提供强大支持，其中就包括Micron 2500 NVMe SSD。 美光强调，这款四层单元的NAND闪存新品代表了行业的一大突破，其层数和密度均达到前所未有的水平。这种新型闪存不仅能实现比传统NAND闪存更高的存储密度和设计灵活性，还能有效缩短访问时间，为各类应用提供更为流畅的体验。 發表于：2024/4/18 ASML公开表示：将继续为中国大陆厂商提供设备维修服务 4月18日消息，ASML公开表示，将继续为中国大陆厂商提供设备维修服务。 此前有消息称，美国计划向荷兰施压，试图阻止ASML在中国提供部分设备的维修服务。 發表于：2024/4/18 半导体材料解决方案商纳宇新材举办首届渠道大会暨产品发布会 3月25-26日，纳宇半导体材料(宁波)有限责任公司（简称“纳宇新材”）在宁波市洲际酒店举办首届渠道大会暨产品发布会。活动以“互连未来、共创辉煌”为主题，汇聚了半导体行业专家、精英与来自全国各地的合作伙伴等近百人，共同探讨半导体封装技术的最新进展和见证纳宇新材在半导体材料领域的创新成果。 發表于：2024/4/18 阿斯麦 High-NA EUV光刻机取得重大突破 4 月 18 日消息，荷兰阿斯麦 (ASML) 公司宣布，其首台采用 0.55 数值孔径 (NA) 投影光学系统的高数值孔径 (High-NA) 极紫外 (EUV) 光刻机已经成功印刷出首批图案，这标志着 ASML 公司以及整个高数值孔径 EUV 光刻技术领域的一项重大里程碑。 發表于：2024/4/18 <…215216217218219220221222223224…>
