EDA與制造相關文章 ASML前员工窃密案细节曝光 2024年12月，一位ASML前员工（A先生）因涉嫌窃取ASML和恩智浦的商业机密而被荷兰政府拘留，荷兰移民局还对其实施了20 年的入境禁令，引发了外界关注。近日荷兰媒体NRC针对该案件披露了更多的细节，并表示该窃密之举是为了协助俄罗斯在本土建造一座 28nm 晶圆厂。 發表于：2025/4/7 传英特尔与台积电将成立合资企业运营晶圆代工厂 4月4日消，据外媒《The information》报道，两位参与相关讨论的知情人士称，英特尔与台积电已经达成了双方成立合资企业的初步协议，双方将共同运营英特尔在美国的晶圆厂。 發表于：2025/4/7 科美存储发布首款100%国产DDR5 RDIMM内存条 过去，在工业存储领域，中国的发展可谓是凄风苦雨、一波三折。存储芯片，中国曾高度依赖进口，进口比例曾高达90%，国产存储芯片市场份额一度下滑至不足4%。同时，工业数据存储面临成本、性能、安全、业务等多方面挑战，如存储成本高、实时性要求难以满足、数据安全存在隐患、传统接口无法满足业务需求等。 發表于：2025/4/3 纬创宣布投资5000万美元在美国建厂 4月2日，中国台湾电子代工大厂纬创发布公告，宣布计划在美国投资新设子公司，注册资本为4,500万美元，并拟于不超过5,000万美元额度内，取得美国土地及厂房。 纬创表示，在美国投资设立的子公司名为Wistron InfoComm（USA）Corporation（WIUS），此番投资是因业务发展及策略规划需要。 發表于：2025/4/3 龙芯中科宣布2K3000暨龙芯3B6000M成功完成流片 4月3日消息，龙芯中科官方宣布，近日，龙芯2K3000暨龙芯3B6000M成功完成流片，目前已完成初步功能和性能摸底，各项指标符合预期。 龙芯2K3000、龙芯3B6000M是基于相同硅片的不同封装版本，分别面向工控应用领域、移动终端领域。 發表于：2025/4/3 晶圆代工巨头先进工艺制程进度一览 4月3日消息，日前举办的Vision 2025大会上，Intel正式宣布18A工艺制程技术已进入风险生产阶段。预计今年下半年首发该工艺的Panther Lake处理器将进行大批量生产。 發表于：2025/4/3 消息称SK海力士封装厂产线升级 HBM月产能新增1万片晶圆 4 月 2 日消息，韩媒 ET News 当地时间本月 1 日报道称，SK 海力士已在 3 月末完成了其位于韩国京畿道利川市的 M10F 工厂的产线改造，该厂从此前负责一般 DRAM 产品的后端处理调整为封装高附加值、高需求的 HBM 内存。 消息人士称 SK 海力士为利川 M10F 工厂引进和更换了新项目所需的工艺设备和原材料，并获得了消防部门更新的安全许可，该工厂 HBM 封装产线已于 3 月底开始批量生产。 發表于：2025/4/3 Rapidus 2027年量产2nm芯片仍面临三大挑战 近日，日本经济产业省宣布，已决定向本土半导体制造商Rapidus再追加8025亿日元投资，使得政府援助总额将达到1.7万亿日元，以支持Rapidus实现2027年在日本量产2nm芯片的目标。 發表于：2025/4/3 创意电子完成全球首款HBM4 IP于台积电N3P制程投片 4月2日，先进ASIC厂商创意电子宣布成功完成HBM4控制器与实体层（PHY）半导体IP的投片。该芯片采用台积电最先进的N3P制程技术，并结合CoWoS-R先进封装技术实现。 發表于：2025/4/3 英特尔18A先进制程已进入风险试产阶段 4 月 2 日消息，英特尔高级副总裁、英特尔代工部门负责人 Kevin O'Buckley 在英特尔 Vision 2025 活动上宣布，根据已向客户交付的硬件，英特尔代工目前最为先进的 Intel 18A 逻辑制程已进入风险试产（IT之家注：Risk Production）阶段。 發表于：2025/4/2 日本芯片制造商Rapidus计划2025财年内发布2nm制程PDK 4 月 1 日消息，日本芯片制造商 Rapidus 今日表示，该企业计划在本月内基于已安装的前端设备启动中试线，实现 EUV 机台的启用并继续引入其它设备，推进 2nm GAA 先进制程技术的开发。 發表于：2025/4/2 台积电美国厂全部量产后营收占比将达三分之一 4月1日消息，据英国《金融时报》报道，根据分析师的估算，晶圆代工大厂台积电在美国亚利桑那州的所有晶圆厂完工后，仅会占该公司2030年代初总营收的约三分之一，远低于其中国台湾晶圆厂的营收占比。 發表于：2025/4/2 意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议 2025年4月1日，中国苏州 — 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 （STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军企业英诺赛科（香港联合交易所股票代码:02577.HK），共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议 發表于：2025/4/2 业界预计台积电将在2027年开始1.4nm工艺的风险性试产 4月2日消息，如今的台积电，真是把新的制程工艺变得似乎易如反掌！ 早在今年初，就有报道陈，台积电2nm工艺试产进度远超预期，乐观预计位于新竹宝山、高雄的两座旗舰级工厂可在年底每月产出8万块晶圆。 發表于：2025/4/2 联电新加坡Fab 12i 晶圆厂扩建落成开业 4月1日，台系晶圆代工大厂联电在新加坡举行扩建新厂开幕典礼，新厂第一期项目将在2026年开始量产，预计将使联电新加坡Fab 12i厂总产能提升至每年超过100万片12英寸晶圆。此外，联电这座新厂也将成为新加坡最先进的半导体晶圆代工厂之一，提供用于通信、物联网（IoT）、车用和人工智能（AI）创新领域的半导体芯片。 發表于：2025/4/2 <…128129130131132133134135136137…>
