EDA與制造相關(guān)文章 三星计划三年内量产V-DRAM 4月28日消息，据韩国媒体 sedaily 报导，三星电子已确定将在三年内量产被称为次世代內存的“垂直信道晶体管（VCT）DRAM”的蓝图。外界解读，三星有意比竞争对手SK海力士更早一个世代成功量产，以挽回“超级差距”的地位。 發(fā)表于：2025/4/29 中国台湾出台新规：限制台积电最先进工艺技术出口！ 4月28日消息，据台媒《经济日报》报道，中国台湾计划加强对先进工艺技术出口和半导体对外投资的控制。新的产创条例第22条已经获得了正式通过，针对台积电赴美投资将执行“N-1”技术限制，基本上禁止台积电出口其最新的生产节点，并对违规行为进行处罚。不过，该新规的具体实施日期尚未公布。 發(fā)表于：2025/4/29 联电称与英特尔合作开发的12nm FinFET制程技术明年通过验证 近日，晶圆代工大厂联电2024年度营运报告书出炉。其中提到，与英特尔合作开发的12nm FinFET制程技术平台进展顺利，预计2026年完成制程开发并通过验证。联电还披露了封装领域进展，晶圆级混合键合技术、3D IC异质整合等技术已成功开发，未来将全面支持边缘及云端AI应用。 發(fā)表于：2025/4/28 SK Hynix展示全球首款16层堆叠HBM4 4月28日消息，据wccftech报道，继今年3月宣布全球首次向客户提供12层堆叠HBM4样品之后，SK海力士在近日的台积电北美技术论坛又首次向公众展示其最新的16层堆叠HBM4方案。 据SK海力士介绍，其此次展示的16层堆叠HBM4具有高达 48 GB 的容量、2.0 TB/s 带宽和额定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die则是由台积电代工。SK 海力士表示，他们正在寻求在 2025 年下半年之前进行大规模生产，这意味着该工艺最早可能在今年年底集成到产品中。 發(fā)表于：2025/4/28 TechInsights：中美关税战将致2026年全球半导体市场萎缩34% 当地时间4月26日，半导体市场研究机构 TechInsights 发表它对目前美国和中国之间持续存在的“关税战争”对于半导体产业的负面影响的看法。 發(fā)表于：2025/4/28 佳能下调2025年光刻机销量至289台 4月24日日本股市盘后，相机及光刻机大厂佳能（Canon）在公布了2025年一季度（2025年1-3月）财报的同时，下修了2025年度的整体业绩预期。 佳能一季度合并营收较去年同期增长7.1%至10584亿日元，合并营业利润同比增长20.5%至965亿日元，合并净利润同比增长20.5%至722亿日元。 發(fā)表于：2025/4/28 中汽研发布《新能源汽车电安全技术年度报告（2025）》 4 月 28 日消息，中汽中心新能源检验中心上周发布了《新能源汽车电安全技术年度报告（2025）》（下称《报告》）。 新能源汽车以“三电”系统为核心，相比传统燃油汽车，存在更多电安全方面的新问题新挑战。《报告》指出，新能源汽车行业竞争加剧，部分新技术没有得到充分验证就量产上车，为行业发展留下了潜在安全风险隐患。 《报告》中还分析了我国新能源汽车发展现状、技术发展趋势，介绍了包括“充电、电磁、功能、高压、电池、消防”六个维度的 NESTA 电安全技术验证体系。 發(fā)表于：2025/4/28 台积电升级CoWoS封装技术 目标1000W功耗巨型芯片 4月25日消息，如今的高端计算芯片越来越庞大，台积电也在想尽办法应对，如今正在深入推进CoWoS封装技术，号称可以打造面积接近8000平方毫米、功耗1000W级别的巨型芯片，而性能可比标准处理器高出足足40倍。 目前，台积电CoWoS封装芯片的中介层面积最大可以做到2831平方毫米，是台积电光罩尺寸极限的大约3.3倍——EUV极紫外光刻下的光罩最大可以做到858平方毫米，台积电用的是830平方毫米。 NVIDIA B200、AMD MI300X等芯片，用的都是这种封装，将大型计算模块和多个HBM内存芯片整合在一起。 發(fā)表于：2025/4/27 台积电公布N2 2nm缺陷率 4月26日消息，在近日举办的北美技术论坛上，台积电首次公开了N2 2nm工艺的缺陷率(D0)情况，比此前的7nm、5nm、3nm等历代工艺都好的多。 台积电没有给出具体数据，只是比较了几个工艺缺陷率随时间变化的趋势。 發(fā)表于：2025/4/27 台积电A14第二代GAA工艺解读 A14 工艺：技术亮点深度剖析1、晶体管技术升级：从 FinFET 到 GAAFET 發(fā)表于：2025/4/27 传Intel 18A制程将获英伟达博通等厂商订单 4月25日消息，据外媒wccftech报道，英特尔即将量产的最尖端制程工艺Intel 18A在获得内部产品采用的同时，也将获得包括英伟达(Nvidia)、博通(Broadcom)在内的几家ASIC厂商的代工订单。 發(fā)表于：2025/4/25 三星将逐步停产HBM2E 转向HBM3E和HBM4 DDR4之后 三星将逐步停产HBM2E：转向HBM3E和HBM4 發(fā)表于：2025/4/25 传统晶体管的极限 台积电3nm N3P已量产 N3X马上来 4月24日消息，除了发展N2、A16、A14等采用GAAFET全环绕晶体管的全新工艺，台积电还在持续挖掘传统FinFET立体晶体管的极限，最后一代用它的N3系列工艺节点仍在不断演进。 發(fā)表于：2025/4/24 《芯片战争》作者发声：美国半导体关税将得不偿失 4月23日消息，针对美国特朗普政府在发起全球关税战之后，还将计划对半导体行业加征关税一事，《芯片战争》作者（Chip War）作者米勒（Chris Miller）近日在《金融时报》发文表示，美国此举的本意可能是加强美国制造，但实际的效果可能适得其反，可能还会加剧企业在海外制造，建议应与日本、韩国、中国台湾和欧洲合作建立全球芯片产业，让半导体的生产既可靠、又具效率。 發(fā)表于：2025/4/24 台积电发布SoW-X晶圆尺寸封装系统 4 月 24 日消息，台积电 2025 年北美技术论坛不仅公布了最先进的 A14制程，在先进封装领域也有多项重要信息公布。 發(fā)表于：2025/4/24 <…122123124125126127128129130131…>
