工業(yè)自動(dòng)化最新文章 博通CEO表示目前对收购Intel没有兴趣 博通CEO：目前对收购Intel没有兴趣 發(fā)表于：2024/12/24 韩国学术界呼吁效仿台积电成立KSMC 12月23日消息，据媒体报道，韩国国家工程院（NAEK）近日在首尔举行的研讨会上，讨论了效仿台积电成立韩国半导体制造公司（KSMC）的计划。 专家估计，到2045年，对KSMC的20万亿韩元投资，可产生300万亿韩元的经济效益。 韩国拥有三星电子和SK海力士这两家尖端存储芯片的制造商，但在芯片代工领域，尤其是与台积电的竞争中，三星的进展并不顺利。 發(fā)表于：2024/12/24 美对华成熟制程芯片发起301调查 当地时间12月23日，美国拜登政府通过白宫官网宣布，已要求美国贸易代表办公室发起301条款调查，以审查中国将基础半导体（也称为传统或成熟制程芯片）作为主导地位的目标以及对美国经济的影响。 發(fā)表于：2024/12/24 2025半导体产业增速将超10% 12月23日消息，综合多家研究机构的预测数据来看，2025年全球半导体产值有望将维持两位数百分比的同比增长。不过，随着美国新一届总统特朗普即将上任，地缘政治不确定性恐将升高，并为全球经济形势与半导体产业增长添增变数。 發(fā)表于：2024/12/24 5G确定性工业基站首次商用 近日，在“无线通算智融合技术标准攻关及基站研制”央企联合体、浙江中心5G-A实验室的支持下，中国移动温州分公司联手华为在温州烟草配送中心成功开通浙江省内首个5G确定性工业基站，满足客户业务场景对时延可靠性20ms@99.99%的需求，并在物流穿梭运输产线上完成5*24小时稳定性测试。这一创新性成果标志着5G工业应用迈出了关键一步，为工业自动化、智能化发展提供强有力的技术支撑，有望推动更多工厂向星级工厂迈进。 發(fā)表于：2024/12/24 二极管/三极管/场效应管完整测试方案设计及选择 二极管/三极管/场效应管完整测试方案设计及选择 發(fā)表于：2024/12/23 场效应管的重要参数介绍 场效应管（FET）的重要参数包括： 1.最大漏源电压（VDSmax）：场效应管漏极和源极之间能够承受的最大电压。 2.最大漏极电流（IDmax）：场效应管能够承受的最大漏极电流，超过此值可能会导致器件损坏。 3.最大栅源电压（VGSmax）：场效应管栅极和源极之间能够承受的最大电压。 4.阈值电压（Vth）：使场效应管开始导电的最小栅源电压。 發(fā)表于：2024/12/23 场效应管的主要类型介绍 场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种电压控制型半导体器件，它利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流。 场效应管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。由于它仅靠极少量电流即可工作，因此非常适用于功率电路中作放大用；此外，这种电子元件还有较高的输入阻抗和输出电阻，因而也适用于信号处理、高频振荡和调制等电路中作输入级或输出级。 發(fā)表于：2024/12/23 三极管的重要参数介绍 三极管（晶体管）是电子电路中常用的半导体器件，它有多种类型，如双极型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。不同类型的三极管有不同的参数，但以下是一些重要的通用参数： 發(fā)表于：2024/12/23 三极管的主要类型介绍 半导体三极管，也被称为双极型晶体管或晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件 它的主要功能是将微弱的电信号放大成幅度值较大的电信号，同时也被用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。 發(fā)表于：2024/12/23 二极管的重要参数介绍 二极管的重要参数包括额定峰值反向电压（VR）、额定直流正向电流（IF）、最大导通电流（IFM）、静态电阻（RS）、正向压降（VF）、动态电阻（rd）、反向漏电流（IR）、反向恢复时间（trr）、反向恢复电荷（Qrr）和热阻（Rth）等。 發(fā)表于：2024/12/23 二极管的主要类型介绍 二极管是一种具有两个电极的电子器件，其主要功能是允许电流在一个方向上通过，而在另一个方向上则阻止电流通过，这种特性被称为单向导电性。 具体来说，二极管由两个主要部分构成：一个是P型半导体，另一个是N型半导体，它们的交界处形成PN结。 發(fā)表于：2024/12/23 北电数智构建首个国产算力PoC平台 助力国产算力场景化应用 近日，2024中国企业家博鳌论坛-2024数字科技创新发展大会盛大举行，共话AI行业发展。北京电⼦数智科技有限责任公司（以下简称“北电数智”）董事长荆磊发表《打造“AI工厂”，建设数字中国》主题演讲，梳理了当前我国AI行业发展所面临的挑战，并分享北电数智的解题思路和实践路径。 發(fā)表于：2024/12/23 英特尔股东起诉前CEO基辛格 12月20日消息，据The Register 报道，英特尔股东 LR Trust 已对英特尔高管提起诉讼，指控英特尔前首席执行官帕特·基辛格 （Pat Gelsinger） 和英特尔临时联合首席执行官兼首席财务官大卫·津斯纳 （David Zinsner） 管理不善、误导性披露，并要求将他们获得的赔偿金和其他收益退还给公司。在列出的要求中，该股东要求基辛格退还其在 2021 年、2022 年和 2023 年任职期间赚取的 2.07 亿美元工资的全部款项。 發(fā)表于：2024/12/23 2023年中国厂商占据了全球SiC专利申请量的70% 近日，法国市场研究机构KnowMade最新发布的一份针对碳化硅（SiC）的知识产权 （IP） 报告，全面介绍了全球最近的碳化硅专利申请活动。在该报告中，KnowMade重点介绍了整个碳化硅供应链中最新的专利动态，并重点介绍了SiC行业内一些采用垂直整合模式（IDM）的主要公司的专利动态。 發(fā)表于：2024/12/23 <…180181182183184185186187188189…>
