12 月 9 日消息，日本 DNP（大日本印刷）當?shù)貢r間今日宣布成功開發(fā)出線寬僅 10nm 的 NIL 納米壓印圖案化模板，支持 1.4nm 級邏輯半導(dǎo)體以及 NAND 閃存的制造。
DNP 在 NIL 圖案化技術(shù)路線上已有超 20 年的研發(fā)歷史，最新一代模板產(chǎn)品集成了光掩模和晶圓制造兩部分的工藝技術(shù)專業(yè)知識，采用 SADP（自對準雙重圖案化）“套刻”方案，通過在初步圖案的基礎(chǔ)上薄膜沉積和蝕刻使線條密度加倍。
DNP 表示其最新的 NIL 技術(shù)能耗僅有光刻機曝光工藝的 1/10。該企業(yè)目前正與半導(dǎo)體制造商客戶進行更深入的交流，計劃于 2027 年開始批量生產(chǎn)。
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