EDA與制造相關文章 波兰对英特尔先进封装工厂超74亿兹罗提补贴获欧盟委员会通过 波兰对英特尔先进封装工厂超74亿兹罗提补贴获欧盟委员会通过 發表于：2024/9/14 三星正努力将其第二代3nm制程良率提升至20% 三星正努力将其第二代3nm制程良率提升至20% 9月13日消息，据《韩国时报》报道，三星电子正迫切需要提高其人工智能 （AI） 处理器的代工制造良率，以争取英伟达、高通等芯片大厂的高端芯片的订单。 發表于：2024/9/14 金刚石材料半导体芯片研发开始加速 金刚石材料半导体芯片研发开始加速 發表于：2024/9/14 美国对中国新能源汽车半导体等即将开始加征100%关税 9月27日起开始！美国对中国新能源汽车、半导体等加征100%关税 發表于：2024/9/14 谷歌明年或把Tensor G5生产转移到台积电 因三星3纳米良率低，谷歌明年或把Tensor G5生产转移到台积电 發表于：2024/9/14 2024Q2企业级SSD合约价环比增长超25% 9 月 13 日消息，据 TrendForce 集邦咨询今日报告，在供不应求的大背景下，2024 年二季度企业级固态硬盘平均合约价环比增长超 25%，而 NAND 原厂企业在该领域营收更是实现了 52.7% 的迅猛提升。 由于英伟达 AI GPU 平台放量、AI 应用推动存储需求加之服务器品牌商需求升温，2024 年二季度企业级固态硬盘采购容量明显增长，但原厂供应商未能在上半年及时提升产能，导致了供应紧张、价格攀升情况的出现。 而来到三季度，北美云服务供应商客户需求持续增加，服务器品牌商订单动能不减，将继续拉升企业级固态硬盘采购容量，供不应求情况延续。TrendForce 预计第三季度企业级固态硬盘平均合约价将再环比增长 15%，原厂营收升幅则是接近 20%。 發表于：2024/9/14 美国继续施压韩国对华芯片围堵 据《韩国先驱报》11日报道，美国正加紧向韩国施压，要求其配合美方对华出口管制，敦促韩国只向盟国提供高带宽内存（HBM）等先进芯片。中方此前多次就美国对华芯片出口管制表明立场，坚决反对美方胁迫其他国家搞对华出口限制。 报道称，美国商务部负责工业和安全事务的副部长埃斯特维兹当地时间10日在美国华盛顿特区举行的“2024年韩美经济安全会议”上，呼吁韩国芯片制造商向韩国盟国而不是中国等国供应HBM芯片。 發表于：2024/9/13 SK海力士调整生产线以便于专注先进HBM内存量产 9 月 12 日消息，韩媒 The Elec 当地时间本月 4 日报道称，SK 海力士未来将在 HBM 领域采取质量优先的整体策略，专注于尖端 HBM 内存的开发与量产，而传统 HBM 产品则将被逐步淘汰。 在三星电子计划把 HBM 内存的组装检测工艺外包给控股子公司 STeco 的同时，SK 海力士仍计划自行内部解决 HBM 生产的全部工序，在进一步提升 HBM 内存产能上较为保守。 發表于：2024/9/13 英特尔计划明年年底前关闭爱尔兰香农研发中心 9 月 13 日消息，据《爱尔兰时报》9 月 6 日报道，英特尔研发部的员工被告知，该公司计划在明年年底前关闭位于爱尔兰克莱尔郡香农的工厂，该公司在爱尔兰的运营基地将迁往英特尔在莱克斯利普的园区。 报道称，英特尔位于香农的研发部门雇用了大约 750 人，那里的员工也获得了与该集团其他部门员工相同的裁员或提前退休选择。 当被问及香农研发中心的未来时，英特尔的一位发言人表示，该公司正在“改变我们的全球房地产战略，将重点放在人口更多的地区。我们仍在为每个业务部门制定计划。我们将在未来几个月提供更详细的信息。” 發表于：2024/9/13 戴尔宣布今年将继续执行裁员计划 据外媒报导，因为担心个人电脑（PC）需求尚未复苏，且针对人工智能（AI）优化的服务器销售利润不如其他产品的情况下，PC大厂戴尔于9月11日宣布，为控制成本，计划在2024年继续执行裁员计划。 戴尔表示，相关的裁员计划内容，包括限制外部招聘、职缺重组以及其他行动。执行这些计划后，将导致在截至2025年2月的财年期间，戴尔的总员工人数持续减少。成本。” 發表于：2024/9/13 三星因2nm良率过低已撤出美国泰勒厂人员 9月12日消息，据韩媒Business Korea报道，由于 2nm 良率持续存在问题，三星电子已决定从其位于美国的泰勒工厂撤出人员，这标志着其先进的代工业务遭受重大挫折。该决定是在大规模生产时间表一再推迟之后做出的，现在量产时间已从原来的2024年底推迟到了2026年。 三星对于美国泰勒工厂最初设想为 4nm以下先进工艺的大规模生产中心，目的是靠近主要的美国客户，为他们提供本地化的制造服务。然而，尽管工艺开发迅速，但三星仍面临 2nm 良率的挑战，与其主要竞争对手台积电相比，不仅性能较低且量产能力不足，良率也更低。 發表于：2024/9/13 英飞凌成功推出全球首款300mm GaN晶圆 英飞凌成功推出全球首款300mm GaN晶圆 發表于：2024/9/12 三星电子宣布其首款1Tb QLC第九代V-NAND正式开始量产 三星电子宣布其首款1Tb QLC第九代V-NAND正式开始量产 發表于：2024/9/12 消息称三星电子获Ambarella ADAS芯片2nm代工订单 消息称三星电子再获 2nm 订单，为安霸 Ambarella 代工高级驾驶辅助系统芯片 發表于：2024/9/12 台积电首台High-NA EUV将放置在其全球研发中心 台积电全球研发中心本月将接收首台High-NA EUV 發表于：2024/9/12 <…178179180181182183184185186187…>
