工業自動化最新文章 基于高云Arora-V 60K FPGA实现的MIPI CPHY转MIPI DPHY透传模块 近期，高云代理商联诠国际联合合作伙伴DepEye（深目微）共同推出 MIPI CPHY转DPHY (C2D)透传模块：DEGC2DV60，功能基于高云GW5AT-LV60 FPGA实现，该产品适用于需要从 MIPI CPHY RX 桥接到 MIPI DPHY TX 的应用场景。 發表于：2025/4/22 传台积电2nm已获英特尔下单 4月22日消息，据台媒《经济日本》报道，继AMD之后，晶圆代工大厂台积电最新的2nm制程已经获得了英特尔的下单。 發表于：2025/4/22 TrendForce：预计中国市场2025年人形机器人本体产值将超45亿 4 月 21 日消息，TrendForce 集邦咨询今日发文，中国市场已有 11 家主流人形机器人本体厂商在 2024 年开启量产计划，其中有 6 家如宇树科技、优必选、智元机器人、银河通用、众擎机器人、乐聚机器人等厂商对 2025 年量产规划超过千台。 發表于：2025/4/22 消息称三星电子正推动DRAM制程升级 4 月 22 日消息，台媒《电子时报》今日称，随着三星电子推动 DRAM 内存制程工艺的策略性转换升级，多款采用老旧 1y nm（第二代 10nm 级）工艺 DRAM 颗粒的 DDR4 模组（内存条）即将停产。 具体来看，多家供应链企业反馈收到产品 EOL（IT之家注：生命周期结束）通知函，多款 8GB 或 16GB 容量 DDR4 SODIMM / UDIMM 内存条的最后订购日期是今年 6 年上旬，2025 年 12 月 10 日完成最后出货。 發表于：2025/4/22 台积电：无法保证半导体芯片不会被转移到被禁企业 4月22日消息，据Tom's hardware报道，针对此前台积电因在不知情的情况下为被美国列入黑名单的中企生产AI计算小芯片，或将面临 10 亿美元的罚款一事，台积电在其最新的年度报告中承认，在其代工的芯片离开晶圆厂后，难以确保客户不会将芯片转移，以及了解芯片最终用途。换句话说，台积电不能保证类似的事件不会重演。 發表于：2025/4/22 世强硬创重磅亮相2025慕尼黑上海电子展 世强硬创重磅亮相2025慕尼黑上海电子展 以创新技术赋能全球电子产业链升级 發表于：2025/4/22 前十占九！“中国机构正在主导全球芯片研究” 美国不断加强对华芯片出口限制，试图遏制中国获取先进半导体。但美国最新研究显示，中国研究人员已加紧努力，进行大量的基础研究，目前在芯片设计和制造研究领域处于世界领先地位。 發表于：2025/4/22 印度提交埃米级芯片议案入局芯片战 4月21日消息，印度联合新闻社发布文章表示，印度顶尖研究机构印度科学研究所（IISc）的30名科学家团队联合向政府提交了一份开发“埃级”芯片的议案，该芯片的尺寸远小于目前生产的最小芯片。 發表于：2025/4/22 台积电美国厂4年巨亏400亿台币 南京厂大赚800亿台币 4月21日消息，台积电一直积极赴美投资建厂，总额高达1650亿美元，计划建设六座晶圆厂、两座封装厂、一座研发中心，未来甚至落地2nm、1.6nm级别先进工艺，而因为种种原因，在内地只能部署一些成熟工艺。 根据台积电最新公布的股东会年报，台积电在美国亚利桑那州新建的工厂，2024年亏损近143亿元新台币，成为最烧钱的海外厂区。 在此前三年，台积电美国工厂因为一直处于前期投资建设阶段，也是亏损连连，而且持续扩大，2021年、2022年、2023年分别达48.1亿元新台币、94.3亿元新台币、109.24亿元新台币，四年合计亏损几乎达到400亿元新台币。 發表于：2025/4/22 高稳定性光纤激光器恒流驱动系统设计与实现 光纤激光器波长和输出功率的稳定性易受泵浦源驱动电流波动的影响，为应对该问题，设计了一款高精度、高稳定性恒流驱动系统。恒流源部分采用闭环负反馈原理，通过金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）来控制恒流输出，实现了对半导体激光器（LD）驱动电流的精准控制；限流保护电路利用二极管的限幅作用使LD免受过电流冲击的影响，电流缓慢启动采用软件控制的方法确保LD免受浪涌电流损害；光功率探测电路采用ADA4530芯片，确保在极低光照水平下也可精准探测到功率输出。实验结果表明，该电路可实现驱动电流在0~1.2 A连续可调，电流短期（120 min）和长期（24 h）稳定性分别为±0.001 mA和±0.002 mA；激光器中心波长波动不超过±0.03 nm，输出功率的稳定度不超过0.084 3%，精度小于±0.15 mW。 發表于：2025/4/21 基于多线缝隙耦合的Ka波段薄膜功分器设计 传统的功分器结构由于高频串扰明显、阻抗变换线体积大等原因，难以满足微波系统高频率、小型化的需求。为此，提出一种基于多线缝隙耦合结构的Ka波段功分器。从电路拓扑出发，对该器件进行了电路设计、建模仿真与实验验证。测试结果表明，该器件具备良好的高频性能，且表现出通带两侧具有传输零点的滤波响应，实现了多线缝隙耦合的薄膜功分器设计。 發表于：2025/4/21 T型栅GaN HEMT微波器件ESD特性研究 对Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效机理与影响因素进行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效电压分布情况，并结合微光显微镜定位了引起器件退化的异常点，进行了对应的微区分析。另外，还探究了T型栅几何尺寸如栅脚、栅帽宽度与总栅宽等工艺参数对器件抗静电能力的影响并进行相关机理分析，为器件ESD性能、可靠性的优化提供了方向与参考。 發表于：2025/4/21 器件级带电器件模型静电放电测试标准分析及应用 针对器件级带电器件模型（CDM）静电放电国内外主要测试标准进行了整理、分析与解读。梳理了各标准之间的差异性和关联性，明确了各标准的应用范围与技术要点。深入研究了影响器件级带电器件模型（CDM）静电放电测试结果的因素与控制方法，提出了在标准应用过程中保障结果一致性和准确性的相关技术技巧，为器件级带电器件模型（CDM）测试标准的选择、测试和工程应用提供了指导。 發表于：2025/4/21 Arm已将Artan基础IP业务出售给了Cadence 近日，EDA及半导体IP大厂Cadence宣布，已与Arm达成最终协议，收购Arm的Artisan基础IP业务。该业务涵盖标准单元库、内存编译器以及针对领先代工厂先进工艺节点优化的通用I/O（GPIO）。此次交易将增强Cadence不断扩展的设计IP产品线，其核心产品包括领先的协议和接口IP、内存接口IP、适用于最先进节点的SerDes IP，以及即将收购的Secure-IC公司提供的嵌入式安全IP。 發表于：2025/4/21 Intel 18A更多细节曝光 4月21日消息，根据VLSI 2025最新曝光的资料中，英特尔披露了更多的关于其最新的 Intel 18A制程的细节。 根据英特尔官网的此前公布的资料显示，Intel 18A采用了RibbonFET 环绕栅极晶体管(GAA) 技术，可实现电流的精确控制，同时还率先采用了业界首创的 PowerVia 背面供电技术，可将密度和单元利用率提高 5% 至 10%，并降低电阻供电下降，从而使 ISO 功率性能提高高达 4%，并且与正面功率设计相比，固有电阻 (IR) 下降大大降低。与Intel 3 工艺节点相比，Intel 18A的每瓦性能提高 15%，芯片密度提高 30% 。 最新资料显示，Intel 18A提供了高性能（HP）和高密度（HD）库，具有全功能的技术设计功能和增强的设计易用性。在 PPA 比较中，Intel 18A 在标准 Arm 内核子块上设法在 1.1V 电压下提供 25% 的速度提高和 36% 的功耗降低。除此之外，Intel 18A 实现了比 Intel 3 更好的面积利用率，这意味着该工艺可以实现更好的面积效率和更高密度设计的潜力。 發表于：2025/4/21 <…134135136137138139140141142143…>
