EDA與制造相關文章 传台积电将收购群创5.5代LCD面板厂 8月2日消息，近期市场传出消息称，台系显示面板大厂群创去年关闭的5.5代LCD面板厂——台南四厂即将被台积电收购，目的是扩充CoWoS先进封装产能。 發表于：2024/8/5 是德科技推出System Designer for PCIe®和Chiplet PHY Designer 是德科技（NYSE：KEYS）宣布推出System Designer for PCIe®，这是其先进设计系统 （ADS） 软件套件中的一款新产品，支持基于行业标准的仿真工作流程，可用于仿真高速、高频的数字设计。System Designer for PCIe 是一种智能的设计环境，用于对最新的PCIe Gen5 和 Gen6 系统进行建模和仿真。是德科技还在改进其电子设计自动化平台，通过为现有的 Chiplet PHY Designer 工具增加新功能，评估Chiplet中芯片到芯片的链路裕度性能，并对电压传递函数 （VTF） 是否符合相关参数标准进行测量。 發表于：2024/8/2 瑞萨电子完成对澳大利亚设计工具厂商Altium的收购 8月1日，日本瑞萨电子宣布与全球电子设计系统领导者Altium Limited（简称“Altium”）宣布，瑞萨电子成功完成了对Altium的收购。瑞萨电子在2024年2月15日就宣布了以91亿澳元（约59亿美元）收购 Altium 的最终协议 發表于：2024/8/2 泛林推出新一代低温介质蚀刻技术Lam Cyro 3.0 为 1000 层 NAND 闪存制造铺平道路，泛林推出新一代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0 8 月 1 日消息，泛林集团 Lam Research 当地时间昨日宣布推出面向 3D NAND 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0。 發表于：2024/8/2 Alphawave发布业界首颗24Gbps 3nm UCIe半导体芯粒 8 月 1 日消息，Alphawave Semi 公司最新研发出业界首款 3nm UCIe 芯粒（chiplet），为采用台积电 CoWoS 封装技术的系统级封装（system-in-packages，SiP）实现 die-to-die 连接。 發表于：2024/8/2 中国成韩国半导体最大市场 8月1日消息，2024年1至7月，韩国对华半导体出口额达到748亿美元，约合人民币5400亿元，超过美国成为韩国半导体最大的出口市场。 这一数据显示了中国在全球半导体供应链中的重要地位，以及韩国半导体产业在中国市场的强劲增长势头。 韩国7月份的出口额同比增长13.9%，达到574.9亿美元，连续10个月实现同比增长。 發表于：2024/8/2 一图读懂《工业机器人行业规范条件（2024版）》 一图读懂《工业机器人行业规范条件（2024版）》 發表于：2024/8/2 传应用材料申请美国芯片法案补贴被拒 据彭博社报道，美国商务部已于当地时间7月29日拒绝了美国半导体设备大厂应用材料（Applied Materials）的芯片法案补贴申请，这或将影响应用材料在硅谷建研发中心的计划。 發表于：2024/8/1 三星计划2024Q3量产8层HBM3E产品 8 月 1 日消息，韩媒 Business Korea 昨日（7 月 31 日）报道，在 2024 年第 2 季度财报电话会议上，三星公司高管公布：“第五代 8 层 HBM3E 产品目前已交付客户评估，计划 2024 年第 3 季度开始量产”。 發表于：2024/8/1 消息称美国8月将升级对华半导体限制 传美国将升级对华半导体限制：120个中国实体将被禁，涉及晶圆厂、设备商、EDA厂商！ 發表于：2024/8/1 美国推迟对中国电动汽车等产品加征关税 8 月 1 日消息，美国计划对中国进口电动汽车征收 100% 关税的政策不仅浇灭了极氪、比亚迪等中国车企进军美国市场的热情，也给美国本土汽车制造商带来了不小的麻烦，原本计划于 2025 年和 2026 年进入美国市场的别克 Electra E5 和 E4 车型因关税问题被迫搁置。 發表于：2024/8/1 美光宣布量产第九代TLC NAND闪存技术 美光宣布量产第九代TLC NAND闪存技术：写入速度比竞品快99%！ 發表于：2024/8/1 二季度开始Intel每月为NVIDIA生产5000块晶圆 Intel从二季度开始，每月可为NVIDIA生产5000块晶圆 發表于：2024/8/1 消息称三星电子V9 QLC NAND闪存尚未获量产就绪许可 7 月 31 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道称，三星电子 V9 NAND 闪存的 QLC 版本尚未获得量产许可，对平泽 P4 工厂的产线建设规划造成了影响。 三星电子今年 4 月宣布其 V9 NAND 闪存的 1Tb 容量 TLC 版本实现量产，对应的 QLC 版本则将于今年下半年进入量产阶段。 然而直到现在，三星电子并未对 V9 QLC NAND 闪存下达 PRA（IT之家注：应指 Production Readiness Approval）量产就绪许可。而容量更高、成本更低的 QLC 闪存目前正是 AI 推理服务器存储需求的热点。 明星产品前景不明，使得三星电子内部对是否将平泽 P4 工厂第一阶段完全用于 NAND 生产存在不同声音。 發表于：2024/8/1 消息指SK海力士400+层闪存明年末量产就绪 消息指 SK 海力士加速 NAND 研发，400+ 层闪存明年末量产就绪 發表于：2024/8/1 <…189190191192193194195196197198…>
