工業(yè)自動化最新文章 Ethernet-APL：为流程工业带来变革 Ethernet-APL（以太网高级物理层）这一关键技术将实现所有承诺，并将数字化带入加工厂的每一个角落：在潜在爆炸区域内可以无障碍且可靠地实现大量数据的快速高效通信。 發(fā)表于：2024/6/17 Qorvo® 推出采用 TOLL 封装的 750V 4mΩ SiC JFET 中国 北京，2024 年 6 月 12 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，率先在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产品专为包括固态断路器在内的电路保护应用而设计，UJ4N075004L8S 所具有的低电阻、卓越的热性能、小巧的尺寸和高可靠性等优点在上述应用中至关重要。 發(fā)表于：2024/6/17 兆易创新亮相SNEC上海光伏展，以“芯”科技助力数字能源发展 中国北京（2024年6月12日）—— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）宣布，将携多款数字能源解决方案，参加6月13日-15日在上海国家会展中心举办的SNEC第十七届（2024）国际太阳能光伏与智慧能源（上海）展览会（展位：5.1H馆D535），集中展现其在光伏、储能和充电桩、工业及通讯电源等领域的前沿技术实力与创新成果。 發(fā)表于：2024/6/17 ASML公布Hyper NA EUV光刻机 可量产0.2nm工艺！ASML公布Hyper NA EUV光刻机：死胡同不远了 發(fā)表于：2024/6/17 消息称铠侠结束NAND闪存减产 消息称铠侠结束 NAND 闪存减产，现有工厂开工率均已恢复至 100% 發(fā)表于：2024/6/17 SK 海力士将提升1b nm DRAM 产能以满足HBM3E内存需求 提升 1b nm DRAM 产能以满足 HBM3E 内存需求，消息称 SK 海力士正升级 M16 晶圆厂 發(fā)表于：2024/6/17 没有撤离荷兰 ASML总部扩建计划获批 6月17日消息，近日，荷兰埃因霍温市议会多数成员以 34 比 6 的投票结果通过了ASML在Brainport Industries Campus园区的扩张计划，这也为这家半导体巨头继续在当地扩张铺平了道路。 發(fā)表于：2024/6/17 PANJIT强势推出两颗优化的1600V通用型整流器 PANJIT积极推出两颗优化的1600V通用型整流器（PGR6016PT/PGR9016PT），电流高达60A/90A，以其优越性能脱颖而出，在ORing Diode电路上提供卓越的表现，具有高效率、低耗损特性。由于充电桩会有若干个充电模块并联后进行输出供电，这可确保在其中一个电源失效时，其他电源仍正常运作。 發(fā)表于：2024/6/14 Intel 3工艺官方揭秘最新数据 Intel 3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％ 發(fā)表于：2024/6/14 三星公布引领AI时代半导体技术路线图 三星公布引领AI时代半导体技术路线图 效果大幅提升 發(fā)表于：2024/6/14 诺奖得主称美国最多断供中国10年芯片 华为等加油！诺奖得主称美国最多断供中国10年芯片：中国能造出比美更好的 發(fā)表于：2024/6/14 美国发展半导体2024年建设支出超前28年总和 美国发展半导体有多疯狂：2024年建设支出超前28年总和！ 發(fā)表于：2024/6/14 弥费科技8吋&12吋晶圆厂AMHS系统验收 弥费科技8吋&12吋晶圆厂AMHS系统验收，打破行业长期海外垄断 發(fā)表于：2024/6/14 CPU 2.0时代即将到来 CPU 2.0时代即将到来！爆炸性成果使任何CPU性能提升100倍 發(fā)表于：2024/6/14 国内首条光子芯片中试线月底调试 国内首条光子芯片中试线月底调试 产业链国产化进程不断提速 發(fā)表于：2024/6/14 <…255256257258259260261262263264…>
