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三星Exynos 2500 3nm良率仅20%
發表于：2024/6/24 上午8:35:00
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三星因3nm良率太低痛失谷歌高通订单
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HBM订单2025年已预订一空
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三星宣布与Synposys合作优化2nm芯片
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2024上半年中国可折叠OLED面板出货量将首次超越韩国三星
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浅析HBM五大关键门槛
發表于：2024/6/18 上午8:38:25
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三星公布引领AI时代半导体技术路线图
發表于：2024/6/14 上午8:55:22
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三星祭出交钥匙代工服务 加速AI芯片生产
發表于：2024/6/14 上午8:55:01
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中芯国际冲到全球前三：仅次于台积电三星
發表于：2024/6/13 上午8:59:20
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美国芯片制造业迎来历史性投资，狂砸资金新建工厂
發表于：2024/6/13 上午8:59:20
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三星公布芯片技术路线图
發表于：2024/6/13 上午8:59:00
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消息称三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成
發表于：2024/6/12 上午8:59:45
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三星16层及以上HBM需采用混合键合技术
發表于：2024/6/12 上午8:59:27
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三星被曝挖来苹果Siri资深高管领导北美AI团队
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AMD与三星在3nm GAA上目前并无任何实质进展
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高通：正考虑实施台积电、三星电子双源生产战略
發表于：2024/6/6 上午8:52:46
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黄仁勋确认三星HBM3e未通过英伟达认证
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芯片三巨头发力CFET架构以备战埃米时代
發表于：2024/6/4 上午9:00:00
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美光HBM内存能效优异迅速成为韩厂威胁
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苏姿丰暗示AMD将采用三星3nm制程
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三星1nm工艺量产计划提前至2026年
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三星两名芯片工人遭受辐射：造成事故机器已停用
發表于：2024/5/31 上午9:00:25
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消息称SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型光刻胶
發表于：2024/5/30 上午11:13:05
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英特尔三星正寻求玻璃芯片技术挑战台积电
發表于：2024/5/29 上午8:36:36
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NAND Flash开始迈向300层
發表于：2024/5/29 上午8:36:15
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三星否认自家HBM内存芯片未通过英伟达测试
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消息称三星首款可穿戴机器人Bot Fit已完成开发
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韩国政府斥资26万亿韩元扶持芯片产业
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三星显示QD-OLED显示器累计出货量达100万台
發表于：2024/5/24 下午2:40:15
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三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试
發表于：2024/5/24 下午2:14:24
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