微波射頻相關(guān)文章 无线传感器网络微型节点的实现 在总结归纳已有研究成果的基础上，详细阐述了基于ATmega128L结合外围传感器和2.4GHz无线收发模块CC2420的无线传感器 网络微型节点，该节点在试验中应用良好，能够采集精度较高的温度、湿度、光线、加速度和大气压力数据，并通过网络畅通地传回给主机，并实现了传感器网络必 须的低功耗。为将来通信结构和具体协议的设计提供了基础。 發(fā)表于：2010/5/20 CCD还是CMOS？ 高清摄像机的成本博弈 CCD在数据传送时不会失真，因此各个象素的数据可汇聚至边缘再进行放大处理；而CMOS工艺的数据在传送距离较长时会产生噪声，因此，必须先放大，再整合各个象素的数据。也正由于其数据传输方式不同，CCD与CMOS传感器在效能与应用上也有诸多差异。 發(fā)表于：2010/5/20 ADI MEMS运动检测技术走进好莱坞：《钢铁侠2》和《爱丽丝漫游奇境》借助ADI公司和技术增强动画特效 利用ADI公司的iMEMS®高性能运动传感器和Blackfin® DSP，Xsens MVN三维运动捕获捕获技术使电影和视频游戏的计算机角色动画制作大变模样 發(fā)表于：2010/5/20 闪存新技术终于接近量产！可变电阻式内存可望取代NAND（一） 致力于新存储器技术开发的风险企业Unity Semiconductor公司，宣称已开发出一种可取代NAND快闪存储器的技术，为记忆卡和固态硬盘（SSD）提供了新的储存媒介选择。 發(fā)表于：2010/5/20 只买不卖 逢低布局DRAM产业链 台股受到国际环境影响呈现震荡向下修正走势，当然电子股淡季效应也是拖累大盘上攻无力的主因，然而逢低布局正是好时机，尤其第1季电子业上游零组件缺料状况，第3季有可能重演，DRAM在无新产能投入下，产业链卖相最佳。 發(fā)表于：2010/5/20 连接器：电子装备中的隐形支柱 在武器装备的各类电子系统中，连接器在器件与器件、组件与组件、系统与系统之间进行电气连接和信号传递，是构成一个完整系统所必须的基础元件，是军用电子装备中不可或缺的隐形支柱。 發(fā)表于：2010/5/18 基于AS3990/AS3991的超高频RFID读写器的设计 介绍了超高频RFID读写专用芯片AS3990/AS3991的主要功能与特点，以及采用这款芯片设计读写器的整体方案。分析了在兼容ISO18000-6A/B协议的工作模式下，对解码、校验电路处理速度的最低要求；介绍了直接采用MCU进行解码、校验的方法，并为设计读写器选取合适的MCU提供了依据。 發(fā)表于：2010/5/17 应用RFID技术实现医用植入装置的通信 典型的医用植入装置由体外部分和植入体两部分组成，二者之间通过射频载波传输能量和信息，这与广泛应用的射频识别技术非常相似。本文分析研究了它们在技术和应用层面的特点，提出了一种基于商用RFID技术及其器件实现的医用植入装置双向通信的设计，对于具体实现过程中的关键技术、必要的技术裁剪和技术扩展进行了较为详细的介绍。 發(fā)表于：2010/5/17 泰科电子新型POLYZEN器件满足USB挂起模式下的功耗要求 美国加利福尼亚州MENLO PARK，2010年5月17日 —泰科电子（Tyco Electronics）今天宣布推出PolyZen™ ZEN059V130A24LS 器件。这款集成器件可为带有USB接口的电子产品提供全面电路保护，同时满足USB3.0挂起模式下的功耗要求。 發(fā)表于：2010/5/17 5月DRAM合约价出炉 DDR2持平 DDR3小涨 原本进入难产阶段的5月DRAM合约价终于开出，一如市场预期，在PC大厂和DRAM大厂多日的拉锯战之下，DDR2合约价最后持平开出，而DDR3合约价则是小涨2~3%；DRAM业者认为，在电子产业的传统淡季还能维持此结果，算是满意，至于第3季传统淡季展望，DRAM厂都不敢把话说的太满，对于能否有大幅涨价的空间？ DRAM厂仅客气表示，在此高档区间震荡就算是合理价位。 發(fā)表于：2010/5/17 机台递延交货 DRAM大厂40奈米战局延后 全球DRAM产业40奈米大战出现变量，由于浸润式机台(Immersion Scanner)递延交货之故，瑞晶已松口表示，原本计划年底前旗下8万片12吋晶圆产能要全转进45奈米制程的目标，将正式递延至2011年第1季，其第1台浸润式机台本周才会正式到货，比原订时程晚了2~3个月，内部已决定将8万片产能全数转进63奈米制程作为应变。DRAM业者皆认为，全球DRAM 产业的40奈米正式对决时间点，会是在2011年！ 發(fā)表于：2010/5/12 ADI公司的第四代高性能低功耗MEMS陀螺仪支持恶劣工业环境的应用 ADI公司的 iMEMS® ADXRS450是极其稳定、抗振动、低功耗的MEMS陀螺仪，具有0.03°/sec/g的线性加速度灵敏度，功耗仅为6mA。 發(fā)表于：2010/5/12 Spansion完成破产法第十一章重整，成功脱离破产保护 2009年3月1日，Spansion申请第11章破产保护。2009年10月26日，公司第一次提交重组计划，其修订后的披露声明于2009年12月22日获得美国破产法院批准。2010年4月16日，Spansion重组计划获得美国破产法院认可并于2010年5月10日正式脱离第11章。随着Spansion成功脱离第11章，Spansion以往的普通股将被取消，不再交易。一些破产前的债权和其他行政事项将继续进行直到最终解决。从今日起，Spansion将不再受美国特拉华州地区破产法庭管辖。 發(fā)表于：2010/5/12 iSuppli预测2010年NOR Flash市场收益将止跌回升 据iSuppli预估，由于受到整体经济环境好转和需求回升的鼓舞，NOR Flash闪存市场的整体收益会在2010年止跌回升。 發(fā)表于：2010/5/12 可管理的存储器：为存储器系统增加智能的途径 选用可管理的非易失性存储器解决方案具有明显优势和直接效果，体现在：NAND闪存技术变化不影响整个系统；闪存厂商独立共存；移植性；互操作性；存储控制器上软件负荷降低；可扩展性。 發(fā)表于：2010/5/11 <…171172173174175176177178179180…>
