微波射頻相關(guān)文章 详细讲解MOSFET管驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 本文对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 發(fā)表于：2010/1/16 MOSFET及MOSFET驱动电路总结 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。本文对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 發(fā)表于：2010/1/16 关于旁路电容的深度研讨(三) 旁路电容是关注度低、没有什么魅力的元器件，一般来说，在许多专题特写中不把它作为主题，但是，它对于成功、可靠和无差错的设计是关键。 来自Intersil公司的作者David Ritter和Tamara Schmitz参加了关于该主题的进一步对话。本文是对话的第三部分。Dave和Tamara信仰辩论的价值、教育的价值以及谦虚地深入讨论核心问题的价值；简而言之，为了获取知识而展开对一个问题的讨论。 發(fā)表于：2010/1/14 关于旁路电容的深度研讨(二) 旁路电容是关注度低、没有什么魅力的元器件，一般来说，在许多专题特写中不把它作为主题，但是，它对于成功、可靠和无差错的设计是关键。 通过一次关于基本知识的对话，让我们深入考察那没有什么魅力但是极其关键的旁路电容和去耦电容。 發(fā)表于：2010/1/14 关于旁路电容的深度研讨(一) 旁路电容是关注度低、没有什么魅力的元器件，一般来说，在许多专题特写中不把它作为主题，但是，它对于成功、可靠和无差错的设计是关键。来自Intersil公司的作者David Ritter和Tamara Schmitz参加了关于该主题的进一步对话。本文是对话的第一部分。Dave和Tamara信仰辩论的价值、教育的价值以及谦虚地深入讨论核心问题的价值；简而言之，为了获取知识而展开对一个问题的讨论。下面请“聆听”并学习。 發(fā)表于：2010/1/14 电阻市场发展前景向好 2010年需求强劲 电阻器是各类电子设备不可或缺的元器件，在全球经济危机的背景下，电阻器厂家面对生产成本上升与产品价格下降的双重压力，激烈的市场竞争也在不断压缩厂家的利润空间。尽管挑战严峻，但随着全球消费类电子产品的不断增加，如DVD播放器、数码相机、MP3播放器以及手机、电脑和外围设备、数字A/V设备和汽车电子产品等强大的销量和需求维持着中国电阻市场的发展。 發(fā)表于：2010/1/14 Vishay最新推出的超小型双向对称单线ESD保护二极管具有极低容值 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用LLP006封装的新款双向对称(BiSy)单线ESD保护二极管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的极低容值，可保护便携式电子设备中的天线、USB 3.0和HDMI端口免受瞬态电压信号的损害。 發(fā)表于：2010/1/12 Vishay最新推出的超小型双向对称单线ESD保护二极管具有极低容值 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用LLP006封装的新款双向对称(BiSy)单线ESD保护二极管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的极低容值，可保护便携式电子设备中的天线、USB 3.0和HDMI端口免受瞬态电压信号的损害。 發(fā)表于：2010/1/8 功率电感对电源的改善 将集中控制电源的PMIC(Power Management IC)的开关频率，将从一直使用的1MHz变为3MHz,还有管理单独电源的DC-DC转换器IC中主流频率一直是3～4MHz，对于此种情况，作为主要元件的功率电感就需要1.0uH到2.2uH的低感值产品。而开关频率数的提高使静噪成为必须，为了解决这些课题，推动了功率电感的开发。 發(fā)表于：2010/1/7 Vishay新一代超高精度Bulk Metal®箔电阻设定新的行业标准，并开启电阻全新应用领域 器件具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范围，稳定率可达2ppm(±0.0002%)，上升时间小于1ns；H系列的最大TCR为±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR仅有±0.2ppm/℃ 發(fā)表于：2010/1/6 MOSFET栅漏电流噪声模型研究 基于MOSFET栅氧击穿效应和隧穿效应，总结了栅漏电 流噪声特性，归纳了4种栅漏电流噪声模型，并对各种模型的特性和局限性进行了分析。 發(fā)表于：2010/1/6 光电式电流互感器原理及应用 光电式电流互感器原理及应用。 發(fā)表于：2010/1/6 Vishay Siliconix最新推出的12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET提供了业内最低的导通电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。 發(fā)表于：2010/1/5 第十届高交会电子展现场采访TDK中国本部董事中尾礼次 在第十届高交会电子展的TDK展示区，《电子技术应用》记者采访了TDK中国本部董事、副总经理中尾礼次。中尾礼次先生就展会效果、TDK目前发展状况，主要展示产品回答了记者的提问。 發(fā)表于：2008/10/15 SiRF遭遇侵权官司，采用其GPS芯片的产品不能出口美国了？ SiRF遭遇侵权官司，采用其GPS芯片的产品不能出口美国了？ 發(fā)表于：2008/9/2 <…173174175176177178179180181182>
