微波射頻相關文章 LSI 推出全新高端口数存储适配器，进一步扩展6Gb/s SAS 系列 全新 MegaRAID、3ware 以及 HBA 产品使单个卡能够直接连接服务器内多达 24 个驱动器，或外部连接多达 512 个器件，从而实现简单高效的存储扩展 發表于：2010/8/2 美光推出新型内存支持基于英特尔处理器的平板电脑和上网本 2010年7月29日，北京讯 美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存，支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel® 凌动™ 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的理想存储解决方案。 發表于：2010/7/30 先进制程转换 Q4全球DRAM市场趋向供过于求 Digitimes Research分析师柴焕欣分析，2008年下半受金融海啸冲击，除三星电子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM厂商皆发生巨额亏损，为保有手中资金，各DRAM厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略，此举亦让自2006年以来全球DRAM产业扩厂竞赛划下句点。 發表于：2010/7/30 Vishay推出符合IPC/JEDEC J-STD-020标准的新款器件 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出满足严格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接指导的新款器件，扩充了高温140 CRH器件和低阻抗150 CRZ系列表面贴装铝电容器。 發表于：2010/7/30 Vishay Siliconix推出业界面积最小、厚度最薄的N沟道芯片级功率MOSFET 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET —— Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可减少在便携式电子产品中占用的空间。 發表于：2010/7/29 Vishay推出业内最耐热的薄膜贴片电阻 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为其用于极高温度环境的无源器件产品组合中增添新系列SMD卷包式薄膜贴片电阻 --- Sfernice PHT，这些电阻针对用在钻井勘探和航天应用的多芯片模块进行了优化。 發表于：2010/7/27 Spansion、尔必达（Elpida）宣布建立更广泛闪存合作联盟 2010年7月26日，中国上海——尔必达（Elpida）存储器公司（TOKYO: 6665）和Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布将扩展在NAND工艺技术和产品基础上更深入的NAND闪存合作联盟。此外，尔必达公司也获得基于MirrorBit®电荷捕获技术的Spansion® NAND IP非专属性授权。尔必达公司将在其位于广岛的尖端300mm晶圆生产厂生产全新NAND产品。双方将分开经营产品销售。 發表于：2010/7/27 基于无线传感器网络的远程智能抄表系统设计 智能远程抄表系统节省时间、人力、物力、提高工作效率，降低物业成本，准确及时地将住户所使用的电表数据显示出来，为实现小区科学、系统的物业管理提供了有效的解决方法。智能远程抄表系统的核心是提供了一个控制信号采集和数据传输的平台，可远程对电表进行参数设置、实时监控和故障判断。该系统可用于对水表、气表等其他仪表的远程监控。 發表于：2010/7/26 全球MEMS技术应用及其市场发展状况 MEMS有广泛的应用，但其封装测试成本是决定其能否有光明市场前景的重要因素 發表于：2010/7/26 市场低迷大厂获益 谁是下一个奇梦达 近期韩系DRAM大厂──三星、海力士先后宣布上调2010年资本支出，手笔之大令人惊愕。三星将对芯片业务支出20万亿韩元(约合177亿美元)，该数字是此前支出计划的两倍多;海力士也将资本支出提高了三分之一，达到3.05万亿韩元(约合27亿美元)。预计这些支出中将有相当一部分进入DRAM业务。 發表于：2010/7/23 汽车制造行业对电感式传感器的优化选择 汽车生产工艺上来看，近年来，国内汽车制造业的自动化水平大幅提升，明显趋势于提高装配精度、提高生产效率。作为定位及检测手段，多种传感器已经普及到生产线各个环节中，尤其是车厂广泛用于定位的电感式传感器，实时监控着整条线的运行状态。但面对于市场上不同厂家、多系列的传感器，如何选择最适合汽车制造领域应用的产品，成为关键。 發表于：2010/7/23 惠瑞捷全新的 HSM3G 高速存储器测试解决方案为 DDR3、DDR4和更高级的内存提供了低廉的测试成本 【2010年7月23日，北京讯】惠瑞捷 (Verigy)（纳斯达克代码：VRGY）推出了全新的 HSM3G 高速存储器测试解决方案，进一步拓展了面向 DDR3世代主流存储器 IC 和更高级存储器件测试能力的 V93000 HSM 平台。V93000 HSM3G 独特的优势在于其未来的可升级性，能够为数据传输速度高达6.8 Gbps未来的三代 DDR 存储器提供价格低廉的测试服务，从而前所未有地长期节约经济成本。 發表于：2010/7/23 惠瑞捷在韩国客户的生产厂安装首款具有每接脚8 Gbps高速存储卡V93000测试机 2010年7月23日，北京讯 首屈一指的半导体测试公司惠瑞捷 (Verigy) (纳斯达克交易代码：VRGY) 在韩国一家不具名客户的生产厂内安装并验证其首款可生产的V93000 HSM6800系统。这套新系统是唯一的一款面向当今 GDDR5超快存储集成电路 (IC)（运行速度超过每接脚4 Gbps）的快速高良率测试解决方案。与当今市场上的其它超高速存储器测试系统相比，它具有明显的产能优势。 發表于：2010/7/23 Spansion公司发布2010年第二财季报告 2010年7月23日，中国上海——全球领先的闪存解决方案供应商Spansion公司 (NYSE: CODE) 今天发布截止至2010年6月27日第二财季的运营情况。由于公司重组后实行的新会计计量产生的影响，Spansion公司同时提供GAAP和非GAAP结果。公司美国GAAP净销售额为2.557亿美元，经营亏损300万美元，净收入为3.418亿美元。公司美国非GAAP调整后净销售额2.927亿美元，调整后运营收入4030万美元，调整后净收入为2740万美元。 發表于：2010/7/23 Vishay推出新款PIN光敏二极管和NPN平面光敏三极管 器件具有紧凑的2.3mmx2.3mmx2.8mm占位，具有350nm至1120nm或470nm至1090nm的光谱带宽，采用1.8mm的鸥翼式和倒鸥翼式封装 發表于：2010/7/22 <…165166167168169170171172173174…>
