EDA與制造相關文章 三星两名芯片工人遭受辐射：造成事故机器已停用 5月30日消息，韩国核安全部门对三星电子展开了一项重要调查，调查起因是该公司在其一家芯片工厂内发生了一起辐射暴露事件，涉及两名工人。 这两名工人因手指出现“异常”的辐射症状被紧急送往医院接受专业治疗，目前他们已入院并正在接受更为细致的医学检查。尽管他们的手指呈现辐射暴露的迹象，但令人困惑的是，常规血液检测结果显示正常。 三星电子对此事件迅速作出反应，公开承认这两名员工在位于韩国器兴的半导体工厂中“手部意外受到X射线照射”。 發表于：2024/5/31 ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150%，可打印8nm线宽 發表于：2024/5/31 南亚科技首款1Cnm制程DRAM内存产品明年初试产 南亚科技：首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 明年初试产 發表于：2024/5/30 消息称SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型光刻胶 5 月 30 日消息，随着 DRAM 小型化的不断推进，SK 海力士、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用。 据 TheElec，SK Hynix 计划在第 6 代（1c 工艺，约 10nm）DRAM 的生产中使用 Inpria 下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是 MOR 首次应用于 DRAM 量产工艺。 發表于：2024/5/30 十铨公布全球首款10GHz DDR5内存 5月30日消息，十铨科技(TeamGroup)宣布将在台北电脑展2024上展示一系列存储产品，包括超高频DDR5内存、超紧凑CAMM2内存、超高速PCIe 5.0 SSD，等等。 DDR5内存标准诞生之初，就有厂商声称可以做到10GHz(10000MHz)以上的频率，后来确实也能通过超频达到。 十铨旗下电竞品牌T-Force，通过独家超频技术，第一次将DDR5内存实际产品的频率做到了10000MHz！ 这款名为“Xtreem玄境”的DDR5内存采用了2mm厚的铝合金散热马甲，鳍片式设计，搭配专业导热硅脂，将散热片与内存紧密结合。 外型设计则是使用两片式设计的厚实金属，并有喷砂表面处理，还配上了极具荣耀象征的T-Force LOGO。 有趣的是，十铨提供了粉色、白色两种配色风格。对于如此强劲的产品，“猛男粉”着实有点出格了。 發表于：2024/5/30 依赖中国制造：欧洲所有进口PCB有65%来自中国 5月29日消息，根据IPC（国际电子工业联接协会）的最新研究，欧洲在印刷电路板（PCB）行业的全球市场份额呈现显著下滑趋势。 尽管PCB行业对欧洲工业至关重要，但过去20年间，其产能、能力和全球市场份额均有明显减少。 目前，欧盟的PCB产量仅占全球的2%，与其在20世纪 發表于：2024/5/30 再获荣誉！大联大荣获第七届蓝点奖之国际影响力品牌奖 2024年5月29日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股凭借着在全球市场中卓越的品牌效能和超高的行业认可度，荣获第七届蓝点奖之国际影响力品牌奖。该奖项由深圳电子商会主办，旨在表彰近年来在电子信息产业领域中展现国际影响力的品牌。此次获奖既是对大联大深耕行业所作贡献的充分肯定，也承载着对大联大引领中国国内市场迈向国际舞台的重大期许。 發表于：2024/5/29 定制IP与验证方案为高质量芯片设计打开大门 中国集成电路设计业在最近十年取得了长足的发展，这不仅体现在行业中出现了一大批成功的芯片设计企业，他们不断努力使其产品达到了世界一流的水平，而且还体现在这些领先的中国企业已经非常善于建立完善的产业生态，产品进入了全球领先的、分布于各个行业的品牌厂商（OEM）和设计公司，同时还与各大晶圆代工企业、包括SmartDV Technologies™这样的领先硅IP企业和EDA工具提供商建立了深入的合作关系。此外，中国本土的IP和EDA工具提供商也长足发展，开始和包括我们SmartDV这样的领先厂商展开深度合作，共同支持中国和全球的客户。 發表于：2024/5/29 多元化增长动能强劲 中微公司薄膜设备新品层出 多元化增长动能强劲，中微公司薄膜设备新品层出 發表于：2024/5/29 曝台积电明年量产2nm工艺 5月29日消息，据媒体报道，台积电将在明年量产2nm工艺，苹果将率先使用这项先进工艺。 据爆料，台积电2nm首次应用了GAA技术，GAA全称Gate-All-Around，中文名为全环绕栅极晶体管，其本质上是一种新型的晶体管设计，可以在更小的制程下提供更好的性能。 在GAA晶体管中，栅极材料包围了晶体管的源和漏，从而提供了更好的电流控制。 这可以帮助减少量子隧道效应，从而使得在2nm甚至更小的制程下的芯片制造成为可能。 發表于：2024/5/29 英特尔三星正寻求玻璃芯片技术挑战台积电 英特尔和三星正寻求通过采用玻璃芯片技术来挑战台积电的市场地位。 發表于：2024/5/29 2nm以下节点装备竞赛打响 台积电魏哲家密访ASML总部 2nm 以下节点装备竞赛打响，台积电魏哲家密访 ASML 总部 發表于：2024/5/29 消息称全球晶圆厂整体产能利用率已达七成左右 半导体行业复苏，消息称全球晶圆厂整体产能利用率已达七成左右 發表于：2024/5/29 NAND Flash开始迈向300层 NAND Flash开始迈向300层 在NAND技术进展方面，在2022年下半年美光、长江存储宣布量产232层NAND之后，SK海力士和三星也分别量产了238层和236层的NAND。相比之下铠侠和西部数据的进展则慢一些，但也达到了218层NAND的量产。目前各家厂商都在积极的迈向300层NAND。 發表于：2024/5/29 台积电或将较原计划提前采用High NA EUV光刻机 5月28日消息，根据wccftech的报道，虽然此前台积电公开表示其路线图上的最尖端制程A16仍将不会采用High NA EUV光刻机，但是最新的消息显示，台积电有可能会修正其既定计划，提前导入High NA EUV光刻机进行试验和学习。 發表于：2024/5/29 <…206207208209210211212213214215…>
