頭條 美中印欧等正合作打造RISC-V开放标准芯片架构 7 月 8 日消息，据南华早报 7 月 7 日报道，阿里巴巴集团副总裁、达摩院玄铁团队负责人戚肖宁表示，尽管美中技术竞争激烈，但全球 RISC-V 芯片架构合作依然坚韧。 最新資訊 美国政府入股后英特尔警示公司海外市场可能受损 8月26日消息，美国政府对Intel的股权投资，虽凸显了Intel的战略重要性，却也带来了诸多潜在风险。 据Intel向美国证券交易委员会（SEC）提交的文件显示，美国政府持有Intel约10%的股份，这可能会给股东、员工、商业伙伴以及公司的国际销售带来一系列问题。 發(fā)表于：2025/8/26 全球首个新一代大型中微子实验装置正式运行 8 月 26 日消息，中国科学院高能物理研究所宣布，2025 年 8 月 26 日，江门中微子实验（JUNO）已成功完成 2 万吨液体闪烁体灌注，并正式运行取数。经过十余年的准备和建设，JUNO 成为国际上首个建成的新一代大型中微子实验装置。 發(fā)表于：2025/8/26 汇顶科技总裁被立案调查 8月25日晚间，汇顶科技发布公告称，公司总裁柳玉平于2025年8月22日收到中国证监会下发的《立案告知书》，因涉嫌内幕交易，中国证监会决定对柳玉平进行立案。 發(fā)表于：2025/8/26 宇树科技涉侵害发明专利权纠纷被起诉 8月25日，天眼查天眼风险信息显示，近日，杭州宇树科技股份有限公司新增1条开庭公告，原告为杭州露韦美日化有限公司，案由为侵害发明专利权纠纷，该案将于8月26日在杭州市中级人民法院开庭审理。 發(fā)表于：2025/8/25 3D DRAM接近现实 研究人员使用先进沉积技术实现120层堆栈 近日，比利时微电子研究中心（imec）和根特大学的研究人员发布论文称，他们成功实现了在 120 毫米晶圆上生长了 300 层硅 （Si） 和硅锗 （SiGe） 交替层——这是迈向3D DRAM 的关键一步。 挑战始于晶格不匹配。硅和硅锗晶体的原子间距略有不同，因此当堆叠时，各层自然会想要拉伸或压缩。可以把它想象成试图堆叠一副牌，其中第二张牌都比第一张牌稍大——如果没有仔细对齐，牌堆就会扭曲和倾倒。用半导体术语来说，这些“倾倒”表现为错位，即可能会破坏存储芯片性能的微小缺陷。 为了解决这个问题，该研究团队仔细调整了 SiGe 层中的锗含量，并尝试添加碳，碳就像一种微妙的胶水，可以缓解压力。它们还在沉积过程中保持极其均匀的温度，因为反应器中即使是微小的热点或冷点也会导致生长不均匀。 發(fā)表于：2025/8/25 苹果起诉跳槽至OPPO的前员工 涉窃取63份机密文件 综合彭博社及macrumors报道，当地时间8月22日，苹果公司在美国加利福尼亚州圣何塞联邦法院起诉了智能手机制造商OPPO从Apple Watch团队挖走的前员工Chen shi，称其窃取了与Apple Watch开发相关的商业机密，并将这些信息提供给OPPO，以帮助其开发一款可穿戴设备。 發(fā)表于：2025/8/25 被大立光起诉专利侵权 荣耀200系列手机在印度遭禁售 8月24日消息，据台媒《经济日报》报道，印度Singh ?& Singh律师事务所8月20日公布1起代理中国台湾镜头大厂大立光，涉及中国大陆手机厂商荣耀专利侵权案的判决结果。印度法院发布临时禁令，禁止被告荣耀及任何代理人从事荣耀200系列智能手机，或任何其它侵犯专利的产品要约销售、销售、分销、广告宣传、进口等行为。 發(fā)表于：2025/8/25 工信部：加快突破GPU芯片等关键核心技术 8月24日消息，工业和信息化部副部长熊继军在8月23日召开的2025中国算力大会上强调，工信部将有序引导算力设施建设，切实提升算力资源供给质量。 發(fā)表于：2025/8/25 采用 GaN 的 Cyclo 转换器如何帮助优化微型逆变器和便携式电源设计 本文介绍了一种新型单级转换器参考设计 TIDA-010954，该设计使上述终端设备的实施更高效、体积更小，同时降低了成本。功率转换控制算法基于扩展相移，降低了对 MCU 速度和软件复杂性的要求。 發(fā)表于：2025/8/23 纳芯微推出三款用于 GaN、汽车和电池安全的芯片 纳芯微正在推出涵盖各种电源应用的器件，包括氮化镓 (GaN) 驱动器、双通道汽车驱动器和电池保护 MOSFET。 發(fā)表于：2025/8/23 <…71727374757677787980…>
