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英伟达狂占三星六成NAND产能
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NAND Flash紧缺压力有望于2027年下半年缓解
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铠侠和Sandisk发布332层3D NAND
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闪存芯片2030年后突破1000层堆栈
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三星发布业界首款端侧AI优化型UFS 5.0闪存
發表于：2026/6/24 上午9:11:13
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闪迪新专利将NAND堆叠于GPU之下破解AI内存墙
發表于：2026/6/22 上午10:13:21
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苹果CEO库克称产品涨价不可避免！
發表于：2026/6/22 上午9:21:50
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铠侠称NAND超级周期将至少持续至2028年
發表于：2026/6/22 上午9:16:53
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SK海力士年底量产375层NAND 将首次导入钼材料
發表于：2026/6/12 上午9:20:03
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NAND涨势不止 2029年前仍将缺货
發表于：2026/6/10 下午3:32:54
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传SK海力士将在大连二厂建设200层中段FG NAND产线
發表于：2026/6/4 上午10:24:07
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2026年Q1 NAND市场公布 长江存储升至13%
發表于：2026/6/4 上午9:10:57
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2026Q1全球NAND闪存同比增至3.5倍
發表于：2026/6/3 下午1:03:19
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三星超越美光成全球车载存储市场第一大供应商
發表于：2026/6/1 上午9:28:58
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主要NAND原厂2026年几无新增产能
發表于：2026/5/26 上午10:23:09
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全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型诞生
發表于：2026/5/26 上午9:27:57
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新型NAND闪存问世 抗辐射能力达传统闪存30倍
發表于：2026/5/22 上午9:58:19
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三星与铠侠陆续退出 MLC NAND价格暴涨300%
發表于：2026/5/13 上午9:13:53
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三星电子讨论重启V10 NAND等半导体新业务
發表于：2026/5/12 上午10:03:19
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IDC预测2026年全球DRAM与NAND收入分别增长177%和138.5%
發表于：2026/5/7 上午11:08:03
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2600亿砸向存储 武汉官宣史诗级扩产
發表于：2026/4/30 下午1:17:39
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三星西安厂减产 全球最大NAND工厂产能告急
發表于：2026/4/23 上午9:26:41
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日本大地震致多家半导体厂停产？
發表于：2026/4/21 上午9:00:41
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存储芯片短缺致全球手机Q1出货量同比下滑6%
發表于：2026/4/13 上午11:04:50
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退出2D NAND市场 铠侠再发停产通知
發表于：2026/4/1 上午9:12:12
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三星西安晶圆厂升级完成 实现236层V8 3D NAND闪存量产
發表于：2026/3/30 上午10:16:15
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英伟达联手三星入局内存研发
發表于：2026/3/13 下午1:33:47
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NAND晶圆价格单月大涨25% 存储行业供需持续失衡
發表于：2026/3/10 上午9:59:18
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国家发改委价格监测中心：存储芯片价格持续上涨并向下游传导
發表于：2026/3/2 上午8:59:52
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SK海力士研发AIP制程 挑战300层以上NAND制造瓶颈
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