5月25日消息，據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w報道，三星電子近期利用單元多層鍵合(CMB)技術(shù)連接兩片450層3D NAND，構(gòu)建了全球首個900層超高堆疊3D NAND閃存原型，這一樣品的存儲單元工作特性已得到驗證。
該技術(shù)核心是兩片450層晶圓垂直整合，突破傳統(tǒng)單次堆疊極限。
三星自研“上部卡盤”技術(shù)解決高層堆疊晶圓翹曲難題，新型套刻校正技術(shù)將鍵合對準(zhǔn)誤差控制在納米級，保障良率。
同時優(yōu)化位線（BL）與字線（WL）結(jié)構(gòu)，在提升密度的同時降低芯片功耗與尺寸。
作為AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心SSD及高端手機存儲核心，3D NAND層數(shù)直接決定存儲密度。
當(dāng)前量產(chǎn)市場SK海力士以321層4D NAND領(lǐng)先，三星計劃年內(nèi)量產(chǎn)400層以上第十代V-NAND，此次900層原型將技術(shù)差距進一步拉大。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。