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Diodes颁发多项分销商及销售通道合作伙伴大奖
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飞思卡尔推出首款蜂窝移动通信基站专用的氮化镓射频功率晶体管
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飞思卡尔推出突破性的超宽带RF功率GaN晶体管，采用先进塑封
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飞思卡尔推出全新的Airfast产品，扩充了面向航空电子市场的RF功率产品组合
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如何通过一个差分接口来延长SPI总线
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可用于柔性电子器件的新型绝缘层问世
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CISSOID 公司推出 HADES® v2， 一款适合高功率密度应用的隔离式栅极驱动器
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CPU的未来全靠它？一个原子厚度的晶体管
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华润上华“跑道形NLDMOS 晶体管及其制作方法”专利技术填补国内空白
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Vishay 推出采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技术的新Trench IGBT平台
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德州仪器超小型 FemtoFET™ MOSFET 支持最低导通电阻
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恩智浦推出全球首款采用2 mm x 2 mm无引脚封装的低VCEsat双晶体管
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三星与Synopsys合作实现首次14纳米FinFET成功流片
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TriQuint推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管，可使放大器尺寸减小50%
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用一只真空管获得450倍增益
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特殊晶体管的检测方法
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英特尔：功耗是发展Exascale运算的主要障碍
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增大运放输出电压范围的受控电源
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