頭條 钠离子电池即将迈入大规模生产阶段 当前，锂离子电池为80亿部手机、数亿台笔记本电脑，以及蓬勃发展的电动汽车和储能设施注入不竭动力。然而，它正迎来一位强大的挑战者——钠离子电池。钠离子电池已快步迈入大规模生产阶段，有望应用于电动汽车和储能等领域，它比锂离子电池更便宜、更安全、更环保。今年4月，全球最大的电池制造商——中国宁德时代新能源科技股份有限公司（以下简称“宁德时代”）宣布，将在今年底前启动钠离子电池的大规模量产。 最新資訊 Littelfuse提供紧凑型盒式保险丝，具有高电流，高额定电压 Littelfuse公司 一个全球领先的电路保护、电源控制和感应技术制造商，今天推出紧凑型管状保险丝系列，交流电压为500Vac/Vdc，其额定电流为40A至63A，分断电流为10,000A。 發(fā)表于：2022/2/24 工程师指南：如何动态调整合适的输出电压 电源通常设置为固定输出电压，以为电气负载供电。然而，有些应用需要可变的供电电压。例如，在某些情况下，如果根据相应的工作状态调整内核电压，微控制器可以更有效地运行。本文将展示如何使用为此目的而开发的专用数模转换器（DAC）来即时调整电源的输出电压。 發(fā)表于：2022/2/22 构建快速、灵活的电动汽车充电网络 在我们未来的电动汽车行业中，半导体技术将为电网运营商提供更大的灵活性，从而更好地管理能源基础设施 發(fā)表于：2022/2/22 汉高电子材料提升电动汽车充电器的可靠性、安全性和成本效益 行业分析机构IDTechEx称，仅在2021年，用户选择购买电动汽车（EV）出现了大幅增长，占到全球新车销量的26%。由于环境保护意识和可持续发展的理念持续对消费者的购买行为产生影响，电动汽车的销量预计将继续保持增长势头，估计到2030年将达到全球新车销量的30%。如要确保降低碳排放的这一积极趋势稳步发展，大力扩展电动汽车充电基础设施势在必行。无论是一级住宅充电器，还是超快速直流充电器，电动汽车充电器所用的材料需要有助于保持稳健的运行性能、组件耐用性，同时能够抵御恶劣条件和不当操作，这些因素对于电动汽车充电器的生产、成本效益和耐用性都至关重要。 發(fā)表于：2022/2/21 Power Integrations推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC 美国加利福尼亚州圣何塞，2022年2月15日讯–深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号POWI）今日发布两款新器件，为InnoSwitch?3-AQ产品系列新添两款符合AEC-Q100标准、额定电压1700V的IC。这些新器件是业界首款采用碳化硅（SiC）初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC。新IC可提供高达70W的输出功率，主要用于600V和800V纯电池和燃料电池乘用车，以及电动巴士、卡车和各种工业电源应用。 發(fā)表于：2022/2/21 通过SiC技术电机逆变器实现电动汽车行驶里程拓展的承诺 同时期的半导体技术革命催生了新的宽带隙器件，例如碳化硅(SiC) MOSFET功率开关，使得消费者对电动汽车行驶里程的期望与OEM在成本架构下实际可实现里程之间的差距得以缩小。 發(fā)表于：2022/2/18 贸泽与Qorvo携手推出全新电子书 探索电子设计中的电源效率 2022年2月17日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Qorvo®携手推出全新电子书《Powering Up Your Design》（让电源管理为设计注入活力），重点介绍新一代技术和器件如何受益于高效电源管理。本书中，来自Qorvo和贸泽的行业专家对电源管理中至关重要的元件、架构和应用进行了深入分析。 發(fā)表于：2022/2/18 豪威集团发布新一代超低静态电流高效同步降压转换器WD1020/WD1021 致力于提升物联网和可穿戴设备性能，豪威集团——全球排名前列的先进数字成像、模拟、触摸和显示技术等半导体解决方案开发商，近日发布新一代高效同步降压转换器WD1020/WD1021。 發(fā)表于：2022/2/16 Flex Power Modules 推出BMR510 两相电压调整模组 Flex Power Modules 宣布推出首款两相电压调整模组BMR510，它具有 80A 的连续总输出电流；4.5 ～16V 输入，0.5～1.3V 输出时，可输出总共达140A 的峰值电流。 發(fā)表于：2022/2/16 英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET 【2022年2月15日，德国慕尼黑讯】高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。 發(fā)表于：2022/2/16 <…132133134135136137138139140141…>
