EDA與制造相關文章 消息称SK 海力士五层堆叠3D DRAM内存良率已达56.1% 消息称 SK 海力士五层堆叠 3D DRAM 内存良率已达 56.1% 發表于：2024/6/24 谷歌与台积电合作首款3nm工艺芯片Tensor G5 谷歌与台积电合作首款3nm工艺芯片Tensor G5 發表于：2024/6/24 三星美国得州芯片工厂推迟至2026年投产 投资 250 亿美元，三星美国得州芯片工厂推迟至 2026 年投产 發表于：2024/6/24 日月光宣布在高雄兴建K28厂以应对先进封装及测试需求 日月光宣布在高雄兴建K28厂，以应对先进封装及测试需求 發表于：2024/6/24 三星SK海力士都将在新一代HBM中采用混合键合技术 三星SK海力士都将在新一代HBM中采用混合键合技术 發表于：2024/6/24 美国拟禁止接受芯片法案补贴的晶圆厂采用中国半导体设备 美国拟禁止接受芯片法案补贴的晶圆厂采用中国半导体设备 發表于：2024/6/21 长江存储起诉美光资助的咨询公司及其副总裁 长江存储起诉美光资助的咨询公司及其副总裁，指控其散布虚假信息！ 發表于：2024/6/21 消息称台积电研究新的先进芯片封装技术 消息称台积电研究新的先进芯片封装技术：矩形代替圆形晶圆 發表于：2024/6/20 传美拟将11家中国晶圆厂列入实体清单 传美拟将11家中国晶圆厂列入“实体清单” 發表于：2024/6/20 英特尔官网披露Intel 3 工艺节点技术细节 英特尔详解Intel 3工艺：应用更多EUV光刻，同功耗频率提升至多18% 發表于：2024/6/20 台积电南京工厂扩产16/28nm芯片 获美国无限豁免！台积电南京扩产16/28nm芯片，打压中国芯？ 發表于：2024/6/20 消息称美光正在全球扩张HBM内存产能 目标相关领域市占看齐整体 DRAM，消息称美光正全球扩张 HBM 内存产能 發表于：2024/6/20 三星电子存储部门宣布进行重组 三星电子存储半导体领导宣布下半年重组。这次会议是在新任设备解决方案（DS）部门负责人全永铉上任后举行的，标志着公司可能在高带宽内存（HBM）等核心业务上寻求新的突破。 据业内人士19日透露，三星电子存储部门前一天召开了会议。存储部门总经理兼总裁Jungbae Lee主持了会议，该部门的主要高管出席了会议。 發表于：2024/6/20 Intel 3制程已大批量生产 6月20日消息，据Tom's hard ware报道，当地时间周三，处理器大厂英特尔宣布其 3nm 级制程工艺技术“Intel 3”已在两个工厂投入大批量生产，并提供了有关新的制程节点更多细节信息。 据介绍，Intel 3 带来了更高的性能和更高的晶体管密度，并支持 1.2V 电压，相比Intel 4 带来了18%的性能提升，适用于超高性能应用。该节点面向英特尔自己的产品以及代工客户。它还将在未来几年内还将会推出Intel 3-T、Intel 3-E、Intel 3P-T等多个演进版本。 發表于：2024/6/20 Intel酷睿Ultra 200V首次完全台积电代工 Intel酷睿Ultra 200V首次完全台积电代工！3nm、6nm的组合 發表于：2024/6/20 <…199200201202203204205206207208…>
