電子元件相關(guān)文章 突发！OPPO终止芯片自研业务！ 5月12日消息，OPPO宣布终止旗下主打芯片设计能力ZEKU（哲库）的业务！ 發(fā)表于：2023/5/12 Q1美国芯片进口额增长13% 从印度进口暴增近38倍 集微网消息，今年第一季度，美国芯片进口额增长13%至154亿美元。其中中国大陆对美国的芯片出口同比减少10.8%至7.1亿美元 發(fā)表于：2023/5/12 联动车业、携手芯企、共赢四化——大联大及伙伴共推车用技术创新和高效供应 中国，深圳 - 2023年5月11日 – 由致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商大联大控股主办的、以 “驶向未来：预约下一个十五•五驰骋世界”为主题的汽车技术应用路演深圳站今日圆满落幕。大联大代理的近20条中外产线，以及大联大自身强大的车用技术团队为本次活动带来精彩的演讲和现场演示，在本次路演上海站之后再次吸引了众多专业人士的参与。 發(fā)表于：2023/5/11 智慧医疗市场背后，元器件厂商的核心价值在哪里？ 如今的传统医疗行业正面临着资源分配不均、人工供给不足、协作效率低等痛点，加速了医疗行业的深度变革。同时，叠加底层技术升级和政策牵引的双重buff，让智慧医疗站在了风口上。然而，不同于消费领域，医疗产业对包括芯片和元器件在内的核心技术拥有极其严苛的标准。对元器件厂商而言，如何凭借自身硬实力，打通上下游产业链将成为其在智慧医疗革新中出奇制胜的关键因素。 發(fā)表于：2023/5/11 EIE组合磁材磁集成变压器的设计与研究 针对带有功率因素校正功能的LLC谐振变换器，提出了一种新型EIE组合磁材磁集成变压器，采用解耦集成的方式将PFC电感、LLC谐振电感以及LLC高频变压器这三个独立的磁性元件集成到一起。详细介绍了磁集成变压器设计方法，并利用ANSYS Maxwell仿真软件对EIE组合磁材磁集成变压器进行建模仿真。比较锰锌铁氧体材料与铁硅铝磁粉芯材料的特点后，为了提高变压器的抗饱和能力，选用I型磁芯材质为铁硅铝磁粉芯。最后，搭建了一台输出功率为100 W的实验样机证实了EIE组合磁材磁集成变压器设计方法的可行性。 發(fā)表于：2023/5/11 反激变换器开关噪声抑制策略 多用于小功率辅助电源的反激变换器拓扑，功率器件的导通及关断噪声在高压输入的情况下更加严重，甚至导致芯片无法正常工作。首先分析了反激变换器噪声的产生机理，通过控制变压器漏感，结合变换器负载条件以抑制输出导通噪声；其次，利用TL431及光耦变换器特性，设计可变补偿网络，从环路控制方面补偿漏感变化造成的系统性能降低；最后，搭建输入430 V~650 V，多路输出共10 W的反激辅助电源，实验结果验证了设计的可行性与正确性。 發(fā)表于：2023/5/11 Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为 Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET配套使用的新一代交互式数据手册，大幅提升了对半导体工程师的设计支持标准。通过操作数据手册中的交互式滑块，用户可以手动调整其电路应用的电压、电流、温度和其他条件，并观察器件的工作点如何动态响应这些变化。 發(fā)表于：2023/5/11 英飞凌推出面向电动汽车牵引逆变器的新型汽车功率模块——HybridPACK™ Drive G2 2023 年 5 月 8 日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）近日推出一款新型汽车功率模块——HybridPACK™ Drive G2。该模块传承了成熟的 HybridPACK Drive G1 集成 B6 封装概念，在相同尺寸下提供可扩展性，并扩展至更高的功率和易用性。HybridPACK Drive G2 系列具有不同的额定电流和电压等级（750 V和1200 V），并使用了英飞凌的下一代芯片技术 EDT3（硅 IGBT）和 CoolSiC™ G2 MOSFET。 發(fā)表于：2023/5/11 睿感ScioSense推出低功耗气体传感器ENS161 德国 纽伦堡，中国 济南，2023年5月9日——业界领先的环境和高精度流量和时间测量传感芯片厂商睿感（ScioSense）今日宣布，推出了新品ENS161，这是一款低功耗多气体传感器，使仅靠小容量电池供电的可穿戴和便携式设备能够进行连续的空气质量监测。 發(fā)表于：2023/5/10 大联大品佳集团推出基于达发科技（Arioha）产品的OTC颈挂式蓝牙助听器方案 2023年5月9日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于达发科技（Arioha）PAU1806芯片的OTC颈挂式蓝牙助听器方案。 發(fā)表于：2023/5/10 东芝推出新款数字隔离器，助力工业应用实现稳定的高速隔离数据传输 中国上海，2023年5月9日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列，该系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬态抑制（CMTI）和150Mbps的高速数据速率。该系列六款产品于今日开始支持批量出货。 發(fā)表于：2023/5/10 xMEMS宣布其全球独家全硅固态保真MEMS扬声器全面上市 中国，北京-2023年5月9日 - 固态保真（Solid-State Fidelity?）MEMS微型扬声器创新开发商xMEMS Labs（简称：xMEMS）宣布其三款革命性MEMS微型扬声器解决方案全面上市，可立即集成到下一代真无线立体声（TWS）耳机、入耳式耳机（IEM）、数字助听器以及智能眼镜和睡眠耳塞等新兴的个人音频电子产品中。 發(fā)表于：2023/5/10 Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。 發(fā)表于：2023/5/10 世健获Bourns“2022年度最佳技术伙伴” 近日，世健科技私人有限公司获得了来自供应商Bourns授予的“2022年度最佳技术伙伴”奖项 ，以表彰世健在过去一年中，为支持Bourns产品线所做出的突出贡献。 發(fā)表于：2023/5/10 存储芯片路线图 CMOS 逻辑和存储器共同构成了半导体器件生产的绝大部分。本文考虑的内存类型是 DRAM 和非易失性内存 (NVM)。重点是商品、独立芯片，因为这些芯片往往会推动内存技术。然而，嵌入式存储芯片预计将遵循与商品存储芯片相同的趋势，通常会有一些时间滞后。对于 DRAM 和 NVM，都考虑了详细的技术要求和潜在的解决方案。 發(fā)表于：2023/5/9 <…54555657585960616263…>
