7 月 30 日消息，Qualcomm（高通）高管在企業 FY2026Q3 財報電話會議上表示，其 ASIC 芯片定制業務從兩家全球超大規模企業獲得的兩個項目已啟動晶圓生產，預計將從 2026 年 12 月季度開始創造收入。
此外，高通的初代 HBC（高帶寬計算）架構芯片已完成流片，為 2027 年中的推出打下堅實基礎。HBC 堆棧底部是近內存加速器單元，其上則以 TSV（硅通孔）技術堆疊 LPDDR DRAM Die。
對于芯片漲價，高通總裁兼首席執行官 Cristiano Amon（克里斯蒂亞諾 · 安蒙）表示“即使是兩位數的價格上漲，這只是輸入成本上漲和晶圓價格上漲的轉嫁”，“當你將其與內存物料清單的量級相比時，實際上是很小的”。
克里斯蒂亞諾 · 安蒙提到，高通已看到半導體全供應鏈正以 100% 產能供應鏈運行，晶圓、組裝、測試、測試設備等各個環節都出現了短缺和漲價，而高通持有的豐富庫存和跨節點產能額度是一種利好。
另外，高通將在 2026 年 9 月量產第五代驍龍數字底盤。該企業預計非手機領域業務的增長將覆蓋蘋果的需求下降。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。