在去年4月的英特爾代工大會(huì)上，英特爾發(fā)布了最新的2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)，其中就包括了面向未來(lái)高帶寬內(nèi)存需求的EMIB-T先進(jìn)封裝技術(shù)，這也是首個(gè)使用 TSV 通過(guò)橋接器發(fā)送信號(hào)（而非繞過(guò)橋接器）的 EMIB 實(shí)現(xiàn)，主要面向Die to HBM4互聯(lián)。

今年5月初，業(yè)內(nèi)消息顯示，英特爾正在開發(fā)的EMIB-T封裝技術(shù)，將被聯(lián)發(fā)科為谷歌開發(fā)的代號(hào)為“Humufish”的2027年下半年即將推出新款TPU項(xiàng)目采用，技術(shù)驗(yàn)證良率已達(dá)到90%。

英特爾最新指出，過(guò)去多芯片封裝通常依賴覆蓋整個(gè)處理器芯片底部的大型且昂貴的硅中介層（Silicon Interposer）做為底層連接。而EMIB-T技術(shù)舍棄了龐大的硅內(nèi)存塊，改為將微型的高速硅網(wǎng)橋嵌入至特定位置，讓需要傳送信號(hào)的相鄰芯片得以連接。此外，英特爾位于新墨西哥州的Fab 9處理器晶圓廠工程師，已成功將芯片直接嵌入硅網(wǎng)橋上，使相鄰的數(shù)據(jù)中心芯片能直接跨橋進(jìn)行通信。這不僅大幅降低了材料成本，還帶來(lái)了更快的電氣反應(yīng)速度，進(jìn)而縮短了芯片間高速通信的周期時(shí)間。

英特爾強(qiáng)調(diào)，EMIB-T帶來(lái)的最核心創(chuàng)新，在于其布線信道如今可以直接“穿透”硅網(wǎng)橋。在過(guò)往的世代中，電力必須繞過(guò)連接橋，這不僅會(huì)產(chǎn)生電阻，也會(huì)拖慢信號(hào)傳輸速度。如今透過(guò)直接穿透網(wǎng)橋進(jìn)入硅元件，大幅減少了電力的浪費(fèi)，并實(shí)現(xiàn)了最快的信號(hào)傳遞。這項(xiàng)升級(jí)對(duì)于現(xiàn)代高帶寬內(nèi)存（HBM）而言至關(guān)重要，因?yàn)樗枰掷m(xù)不斷的供電，以及極高循環(huán)速度的信號(hào)來(lái)達(dá)成更快速的響應(yīng)。

另外，這項(xiàng)全新突破是英特爾晶圓代工整合異質(zhì)小芯片的關(guān)鍵技術(shù)，使其能將不同來(lái)源的小芯片封裝到業(yè)界已知最大規(guī)模的芯片上。相較于傳統(tǒng)全尺寸的硅中介層，EMIB-T不僅能提高生產(chǎn)良率并降低成本，更讓打造用于數(shù)據(jù)中心的超大型并排AI處理器成為可能。