4月22日消息，據韓國媒體IT Chosun報道，三星電子在獲得試產前批準（PRA）后，于今年一季度進行1d DRAM（第七代10nm級制程）的試產，但因良率未達內部目標，恐將無限期延后下一代HBM內存的量產計劃。

三星電子內部人士透露，在1d DRAM良率達標前，已無限期延后量產，目前尚未確定恢復時間，“他們正專注于全面檢視制程路線圖，以進一步提升良率”。另一方面，三星電子高層也對1d DRAM芯片的良率和投資回報進行評價，最終確認目前不適合量產，也不強行推進生產線運作。

根據預計，三星電子的1d DRAM技術將在未來HBM藍圖中扮演關鍵角色，預計將應用于三星第九代HBM產品HBM5E。

1c DRAM將應用于三星的三代HBM產品，包括HBM4、HBM4E與HBM5，但從HBM5E開始，穩定的D1d供應至關重要。其中，HBM4預計今年稍晚時推出，并搭載于英偉達的Vera Rubin與AMD的MI400平臺；HBM4E則預期應用于Rubin Ultra與MI500加速器。至于HBM5及定制化設計，則可能導入英偉達Feynman系列及其他AI芯片。

報道指出，由于量產計劃落空，三星電子為該計劃特派的約400名人員組成的1d DRAM量產工作小組實際已處于閑置狀態。但由于尚未獲得產品驗收批準，關鍵工程師目前僅在研發階段進行信息交流。

相比之下，三星電子的競爭對手SK海力士已經在1d DRAM技術上取得了良率突破，目標2026年下半年完成開發。

目前三星也正加大投資，在韓國溫陽（Onyang）建設一座大型晶圓廠，規模相當于四個足球場，將用于生產包括HBM在內的下一代DRAM產品。該設施將負責封裝、測試、物流與質量控制等關鍵環節，以支撐穩定量產。