7月22日，據財聞海外資訊，三星電子、SK海力士（SKHY.US）與美光科技（MU.US）三大存儲芯片廠商全面展開HBM4良率競爭。作為第六代高帶寬內存，HBM4將應用于英偉達（NVDA.US）下半年推出的Vera Rubin等AI加速芯片，成為下半年企業業績關鍵支撐。
三星已率先實現HBM4規模化量產，業內預估其良率接近70%，得益于1C工藝DRAM（年初良率穩定超80%）的持續帶動，良率管控能力顯著提升。
SK海力士雖未公布精確良率，但行業判斷其已進入穩定區間。為鞏固超半HBM市場份額，其正洽談引進新生產設備，以優化工藝并擴大產能。
美光因產能基礎相對薄弱，正加速推進良率爬坡與大規模設備投資，同步提升產出能力。
良率（合格芯片占比）直接決定交付量與盈利空間，是廠商攻堅核心。盡管此前通用DRAM短期利潤反超，但其漲價空間已趨緩（一季度近翻倍、二季度30%–50%、三季度0%–20%），而HBM需求持續擴張、高毛利優勢將重歸主導。
業內人士表示：“三星搶先落地 HBM4 量產，良率提升帶來的供貨增量、利潤增長已經在二季度財報中充分體現；下半年該趨勢將延續，三大存儲企業的良率競爭會進一步白熱化?！?/p>
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