7月13日消息，英特爾正以兩種全新存儲器架構對HBM發起夾擊。

早在今年2月，英特爾宣布與軟銀子公司SAIMEMORY合作開發ZAM（Z-Angle Memory）技術。項目于2026年Q1啟動運營，預計2027年推出原型產品，2030年實現商業化。

ZAM采用斜向互連拓撲結構，摒棄傳統垂直硅通孔設計。這一設計旨在改善散熱、降低功耗。

官方宣稱功耗較HBM降低40%至50%，單芯片容量最高達512GB，是現有HBM的2至3倍，量產成本僅為HBM的60%。

ZAM采用9層堆疊設計，包含8層DRAM，每兩層間僅由3微米厚硅基板隔開。

英特爾同時在推進XBM（Cross-Batch Memory）架構。XBM采用后端晶體管DRAM堆疊設計，通過UCIe互連輸出數據，速率最高32GT/s。

該設計旨在取消HBM所需的硅中介層，降低先進封裝成本，可保持與HBM4相近封裝尺寸的同時提升可擴展性。

ZAM與XBM技術基礎可追溯至美國能源部支持的先進內存研發項目，英特爾曾深度參與。英特爾還推動了下一代DRAM鍵合計劃。

ZAM面臨生態壁壘與兼容性等挑戰。HBM在生態系統、標準化以及與GPU/AI加速器設計的整合方面擁有巨大領先優勢。

從原型到可規模量產之間，封裝、良率和成本問題仍是關鍵考驗。英特爾此番雙線出擊，能否撼動HBM主導地位，尚需時間驗證。