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中国大陆半导体设备支出全球第一

2026-04-11
來源:芯智讯
關鍵詞: SEMI 半导体设备

當地時間4月7日,國際半導體產業協會(SEMI)發布最新報告稱,2025年全球半導體制造設備銷售額達到1351億美元,較2024年的1171億美元增長15%,連續第三年創下歷史新高。這一數據較SEMI在2025年12月發布的1330億美元預測值上修了約1.6%,反映出AI需求在2025年四季度末仍保持超預期增長態勢。

SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha表示:“2025年創紀錄的半導體設備賬單達到1350億美元,凸顯了隨著人工智能加速對前沿邏輯、先進內存和高帶寬架構需求的推動,行業建設的規模和緊迫性。從晶圓制造投資到先進封裝和測試的快速發展,全球生態系統正在擴展能力和能力,以支持下一波創新浪潮。”

前端設備穩健增長,邏輯與存儲雙輪驅動

2025年,全球前端半導體設備市場實現穩健增長。晶圓加工設備銷售額同比增長12%,其他前端細分市場增長13%。此次擴張主要得益于對前沿邏輯和內存容量的持續投資,以及AI相關需求和持續的節點與技術遷移。

雖然,SEMI最新的報告并未公布前端設備具體構成,但是SEMI在此前2025年12月的預測報告中預測:

2025年代工與邏輯芯片設備銷售額預計同比增長9.8%至666億美元,芯片制造商持續為AI加速器、高性能計算及高端移動處理器擴產,行業正加速向2nm環繞柵極(GAA)節點的大規模量產邁進。DRAM設備銷售額受HBM需求拉動,預計增長15.4%至225億美元;NAND設備銷售額則因3D堆疊技術進步,預計大增45.4%至140億美元。 

而2025年實際的整體半導體設備市場銷售額相比之前的預測是超出的,因此,前端設備部分的增長可能也將超出之前的預期。而這其中的關鍵還是在于:AI需求爆發之下,對于先進邏輯制程和HBM及DRAM需求的暴漲,推動相關前端制造設備的投資增長。

值得注意的是,SEMI在此前2025年12月的預測報告中已將2026年和2027年的設備銷售預期上調至1450億美元和1560億美元,意味著2025-2027年將實現連續三年增長,這一趨勢在半導體設備行業歷史上較為罕見。 

后端設備爆發式增長:測試設備激增55%

受益于人工智能(AI)熱潮,對于高端GPU、高性能計算(HPC)芯片及定制化AI ASIC芯片需求持續攀升,芯片封裝朝向更大面積、更高頻高速、更高功率與更多晶粒整合發展,也讓CoWoS、SoIC、WMCM等先進封裝技術和測試需求持續擴大,進一步推升相關先進封測設備的投資熱度。

以英偉達Rubin GPU為例,其采用CoWoS-L先進封裝技術,將GPU芯片與8個HBM3E堆疊集成,對封裝精度和測試覆蓋率提出了前所未有的要求,直接拉動了對高端封裝設備和存儲測試設備的需求。

SEMI最新的報告也顯示,后端設備板塊在2025年實現了強勁增長。隨著先進封裝技術的持續普及,組裝和封裝設備銷售額增長了21%。隨著AI芯片和HBM的性能需求和測試強度的提升,測試設備銷售額同比激增55%。測試設備銷售額的增速遠超SEMI在2025年中期的預測——當時預計測試設備全年增長48.1%。實際增速超出預期近7個百分點,表明AI芯片和HBM的測試復雜度提升速度比行業預判更為迅猛。 

區域格局:亞洲主導地位進一步強化

從全球各主要區域的表現來看,2025年半導體設備支出仍集中在亞洲,中國大陸、中國臺灣和韓國合計占全球市場的79%,而2024年這一比例為74%,集中度進一步提升。

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具體來說,2025年,中國大陸的半導體設備支出仍接近歷史高位,達到493億美元,較2024年僅下降0.5%,中國大陸芯片制造商繼續投資成熟節點并選擇性布局先進產能。

中國臺灣的半導體設備支出同比大漲90%,達到了創紀錄的315億美元,反映出AI和高性能計算驅動的產能擴張。

韓國的半導體設備支出同比增長26%,達到258億美元,這主要是因為韓國芯片制造商對HBM和DRAM的投資依然強勁。

日本半導體設備支出實現22%的同比增長,達到95億美元,這主要得益于日本先進節點制造業的持續投資。

北美市場因早期產能擴張后支出趨于放緩,半導體設備支出同比下降20%至109億美元。

歐洲半導體設備支出同比下跌41%至29億美元,這是連續第二年收縮,原因是汽車和工業需求持續疲軟。

從設備支出結構看,北美和歐洲的下滑與兩地芯片制造產能擴張放緩直接相關。比如,英特爾在2025年推遲了部分俄亥俄州晶圓廠的建設進度,而歐洲受制于汽車芯片需求疲軟,意法半導體、恩智浦等IDM廠商普遍收緊了資本開支。

2026年展望:增長勢頭有望延續

展望2026年,SEMI在2025年12月發布的預測報告中曾預計,全球半導體設備銷售額將繼續增長至1450億美元,2027年進一步攀升至1560億美元,連續三年刷新歷史紀錄。

增長的核心驅動力將來自三個方面:一是臺積電、三星、英特爾在2nm及以下節點的資本開支競賽;二是HBM產能擴張,三星、SK海力士、美光均計劃在2026年大幅擴產HBM產線;三是先進封裝產能緊缺持續,臺積電CoWoS、三星I-Cube等封裝技術的產能擴張將帶動相關設備需求。)

不過,行業也面臨潛在風險。美國擬推出的MATCH Act若通過,可能進一步限制對華先進設備出口,影響全球設備供應鏈;此外,AI投資若出現階段性降溫,也可能導致設備訂單波動。

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