7月21日消息，據報道，俄羅斯綠城納米技術中心（ZNTC）已成功研制出一臺電子束光刻機（ELL）原型機，設計標準為150納米。

該項目屬于俄羅斯國家計劃科學技術發(fā)展框架下的重點研發(fā)任務，代號為Progress ELL 150。

這臺設備主要用于制造光掩模，也可在不使用掩模的情況下直接在基板上繪制電路圖案。150納米制程大致對應20年前英特爾奔騰4的性能水平。

2025年ZNTC曾展示過350納米分辨率的同類設備，目前已向90納米和130納米技術節(jié)點推進。

據悉，該設備的兩臺原型機正在進行為期約四個月的綜合性測試，隨后將進入成像精度等工藝參數的驗證階段。其中一臺原型機將被運往距綠城2000公里外的地點進行進一步測試。

電子束光刻的優(yōu)勢在于靈活性，科研和原型開發(fā)階段可快速更改圖案，無需制造昂貴的光掩模。但其致命短板是速度太慢，無法用于大規(guī)模量產。

行業(yè)專家指出，這種設備僅適合航天、國防等領域的專用芯片小批量生產。

需要指出的是，俄羅斯半導體產業(yè)正面臨多重困境，包括缺乏65納米以下制程的工程人才、90納米以下光刻膠依賴進口、精密激光干涉儀和溫控系統等關鍵零部件短缺。