4月9日消息，據媒體報道，SK海力士正加快提升其10納米第六代（1c）DRAM的競爭力，用于該工藝的極紫外（EUV）設備投資較原計劃增加了約三倍。
業內人士透露，SK海力士正集中精力推進1c DRAM技術的發展，以應用于第七代高帶寬內存（HBM）HBM4E的核心芯片，并計劃于今年交付樣品。
由于HBM的最大客戶英偉達計劃于明年下半年推出搭載HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士必須加快研發步伐。
SK海力士計劃在正在推進1c DRAM工藝轉換的生產線上部署EUV掃描儀，包括清州M15X、利川M16以及龍仁半導體集群的首家工廠。
據業內人士透露，SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已提升至80%。該公司計劃今年將超過一半的DRAM產能轉換為1c工藝產品，預計到年底將確保約19萬片的產能。
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