3 月 10 日消息，SK 海力士剛剛宣布，成功基于第六代 10 納米級（1c）工藝技術(shù)開發(fā)出 16Gb LPDDR6 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品，旨在滿足端側(cè) AI 應(yīng)用對高性能與高能效的嚴(yán)苛需求。

繼今年 1 月在 CES 展會上首次亮相后，SK 海力士現(xiàn)在完成了全球首個 1c 工藝 LPDDR6 的開發(fā)驗證。公司計劃于今年上半年完成量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并在下半年正式啟動供貨，進(jìn)一步擴(kuò)展其面向 AI 應(yīng)用優(yōu)化的常規(guī) DRAM 產(chǎn)品線。

注：LPDDR（低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率）是一種用于智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備的 DRAM 標(biāo)準(zhǔn)，其特點(diǎn)是低電壓運(yùn)行以最大限度地降低功耗。LPDDR 標(biāo)準(zhǔn)此前已經(jīng)歷 LPDDR1、2、3、4、4X、5、5X，以及現(xiàn)在的 LPDDR6。

性能與能效雙突破

與現(xiàn)有 LPDDR5X 產(chǎn)品相比，1c LPDDR6 在數(shù)據(jù)處理速度和功耗方面均有顯著提升。得益于帶寬擴(kuò)展和單位時間內(nèi)數(shù)據(jù)傳輸量的增加，該產(chǎn)品的數(shù)據(jù)處理速度較上一代提升 33%。其基礎(chǔ)工作速度超過 10.7 Gbps，已超越現(xiàn)有產(chǎn)品的最高速度水平。

功耗方面，SK 海力士通過應(yīng)用子通道結(jié)構(gòu)與 DVFS 技術(shù)，新一代產(chǎn)品的功耗較前代降低超過 20%。子通道結(jié)構(gòu)可選擇性僅激活必要的數(shù)據(jù)路徑，而 DVFS（動態(tài)電壓頻率調(diào)整）技術(shù)則能根據(jù)芯片運(yùn)行環(huán)境動態(tài)調(diào)整電壓與頻率。在高規(guī)格游戲等高性能需求場景下，設(shè)備可提升 DVFS 等級以獲取最大帶寬性能；而在日常使用中，則降低頻率與電壓以節(jié)省功耗。