11月26日消息，據韓國媒體Thelec報道，韓國智慧財產振興院（KIPRO）研究員Kim In-soo 接受其采訪時表示，雖然韓國存儲芯片廠商在制造與堆疊HBM方面表現優異，并占據大半HBM市場，但原物料與設備卻過度依賴海外公司，加上韓國企業缺乏與HBM相關的混合鍵合核心專利，可能讓他們在未來面臨專利訴訟風險。
根據KIPRO 分析，臺積電以及美國的Adeia 是HBM制造所需的混合鍵合技術的領導者。 Kim In-soo 表示，其研究團隊利用AI 技術審查2003年到2022年之間，在韓國、美國、日本、歐洲與中國公開的超過10000件相關專利，發現從專利質量與市場價值來看，Adeia 擁有最具價值的專利。
Adeia 擁有從Ziptronix 取得的直接鍵合互連與低溫直接鍵合等核心技術專利，并通過旗下Invensas 與Tessera 等公司，也已取得大量混合鍵合專利組合。
另根據K-PEG 評級，臺積電擁有A3 等級以上的高品質專利數量中排名第一，三星則排名第二，美光和IBM 緊追在后。報導還稱，臺積電的SoIC 技術具高價值。
目前中國也在存儲領域的專利也在快速增長，例如長江存儲也掌握包括Xtacking 在內的核心技術。這些專利橫跨韓國、美國、日本、歐洲與中國注冊，意味著韓國企業可能隨時卷入專利訴訟。
Kim In-soo 指出，雖然韓國持有第二大規模HBM 相關專利，但其質量與影響力“低于平均水平”，因為韓國在核心設備與材料上仰賴進口，對國內企業構成風險。相關公司目前可能仍傾向通過不公開的協商方式簽訂授權協議，但從2026年混合鍵合開始商業化后，這些問題可能最終演變成訴訟。
值得一提的是，今年2月，三星電子已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術的專利許可協議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產品（430層）開始使用該專利技術來進行制造。
而三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權，主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術方面處于全球領先地位。并且三星經過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已經無法再避免長江存儲專利的影響。
