11月19日消息，據媒體報道，三星正加速提升1cnm DRAM的產能，以搶占HBM4市場的先機。按照規劃，其目標是在2026年第二季度將月產能提升至14萬片晶圓，并于第四季度進一步增至每月20萬片晶圓。這些節點對應設備設置階段，目標是在每個階段實現批量生產準備。
目前，三星的DRAM總產能約為每月65萬至70萬片晶圓。這意味著最新的1cnm DRAM產能將在短時間內達到總產能的約30%，其增產速度已超過2022年半導體熱潮期間月增13萬片晶圓的擴張規模。
為實現這一目標，三星一方面通過對現有DRAM生產線進行技術改造實現過渡，另一方面則依托位于平澤的P4工廠進行新增投資。
這一積極擴產舉措，反映出三星對1cnm DRAM技術與市場需求的高度信心。在人工智能驅動的強勁需求下，近期DRAM市場已出現供不應求的局面。
面對同樣機遇，競爭對手SK海力士也計劃于2025年內啟動1cnm DRAM的量產，并于2026年全面投產。預計到2026年底，其韓國國內通用DRAM產量中將有超過一半來自1cnm工藝，并形成包括LPDDR與GDDR在內的完整1cnm產品陣容。
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