6月29日消息，AI時代從GPU為王的時代轉向了存儲為王的新時代，連NVIDIA CEO黃仁勛都幾次去拜訪三星、SK海力士去談合作，誰能獲得足夠的存儲芯片誰才能保住業務。
目前PC、手機、AI常用的存儲芯片主要包括了DRAM內存及NAND閃存兩種，但它們具體又可以分為多種類型，網友@harukaze5719發的一張圖中詳細對比了5大內存、閃存芯片的技術規格，有助于大家提高對內存/閃存芯片的認識。
具體來說主要有Flash Card閃存卡、LPDDR5移動內存、DDR5內存、HBM4內存及最近一兩年才興起的HBF閃存，后兩者準確來說是堆棧類型，HBM是高速內存堆棧，HBF則是高速閃存堆棧，都是主打AI市場。
具體來說，閃存卡容量大，能輕松達到4096GB，但是性能也是最差的，帶寬4GB/s，而且壽命也不高（相對內存而言），實際上這就是大家常見的SSD的參數指標。
LPDDR5-6400內存就是手機、筆記本常用的移動版內存了，近年來還有部分AI芯片也用這個標準，模組容量常用16GB，帶寬51GB/s，3W功耗是最低的。
DDR5-6400就是臺式機常用的內存標準了，容量可以比LPDDR5大不少，64GB單條的也罕見了，帶寬一樣，但功耗也提升到12W，延遲10-100ns級別。
HBM4主打超高性能，因此內存帶寬1638GB/s可以說一騎絕塵，盡管功耗也提升到了40W，但每瓦帶寬依然是最高的，延遲和壽命水平也是內存常規級別的，要不是太貴，它的技術指標是最完美的。
HBF是近年來才興起的一種新標準，可以看作HBM的低成本替代，與HBM使用內存芯片堆疊不同，HBF使用的還是NAND閃存堆疊，優點是容量大幅提升，能做到512GB，讀取速度也能到1638GB/s。
但是HBF的缺點也就是閃存的缺點，延遲1000ns遠高于HBM4，功耗也高不少，壽命也比內存低多了，寫入速度更沒法比的。
總之，HBF可以在部分場景下替代HBM4，用于讀取數據較多的AI場景比較適合，容量超大也能容納更多的數據。
