3 月 12 日消息，韓媒 FNnews 昨日（3 月 11 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱三星電子本月初在其華城園區(qū)引入了 ASML 生產(chǎn)的 High NA 極紫外光刻（EUV）設(shè)備，希望提升 2 納米及以下制程的競(jìng)爭(zhēng)力。
ASML 的 High NA EUV 設(shè)備 "EXE:5000" 是全球唯一能夠提供此類設(shè)備的供應(yīng)商，單臺(tái)價(jià)格高達(dá) 5000 億韓元（IT 之家備注：當(dāng)前約 24.88 億元人民幣）。該設(shè)備通過(guò)增大透鏡和反射鏡尺寸，將數(shù)值孔徑（NA）從 0.33 提升至 0.55，顯著提高了光刻精度，是 2 納米及以下制程的必備工具。
▲ ASML 首代 High NA EUV 光刻機(jī) EXE:5000
與現(xiàn)有 EUV 設(shè)備相比，High NA EUV 能夠?qū)崿F(xiàn)更窄的電路線寬，從而降低功耗并提升數(shù)據(jù)處理速度，三星自去年起已開(kāi)始評(píng)估該設(shè)備的工藝應(yīng)用，將其用于下一代半導(dǎo)體制造。
三星電子計(jì)劃在完成設(shè)備安裝后，全面構(gòu)建 2 納米工藝生態(tài)系統(tǒng)。三星晶圓代工業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人韓鎮(zhèn)萬(wàn)強(qiáng)調(diào)，盡管公司在環(huán)繞柵極（GAA）工藝轉(zhuǎn)換上領(lǐng)先，但在商業(yè)化方面仍需加速，2 納米工藝的快速量產(chǎn)是其首要任務(wù)。
全球半導(dǎo)體巨頭紛紛加速引入 High-NA EUV 設(shè)備，英特爾（Intel）在 2023 年率先采購(gòu)了 ASML 的首臺(tái) High-NA EUV 設(shè)備，并已簽訂合同購(gòu)買總計(jì) 6 臺(tái)。據(jù)路透 . 社報(bào)道，英特爾的前兩臺(tái) High-NA EUV 設(shè)備已投入生產(chǎn)，每季度可處理 3 萬(wàn)片晶圓。
據(jù) BITS&CHIPS 報(bào)道，英特爾預(yù)計(jì)將率先獲得 EXE:5200 設(shè)備用于其 14A 節(jié)點(diǎn)，而臺(tái)積電則計(jì)劃在 2028 年啟動(dòng) High-NA 量產(chǎn)。
據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)顯示，盡管三星在 2023 年第四季度全球晶圓代工市場(chǎng)排名第二，但其收入環(huán)比下降 1.4%，至 32.6 億美元，市場(chǎng)份額僅為 8.1%。相比之下，臺(tái)積電（TSMC）以 67% 的市場(chǎng)份額保持領(lǐng)先地位。
